[发明专利]一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元有效
| 申请号： | 201110056314.X | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102157561A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张海鹏;许生根;刘怡新;吴倩倩;孔令军;汪洋;赵伟立 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 纵向 沟道 soi nldmos 器件 单元 | ||
1.一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元，包括p型半导体衬底(1)、隐埋氧化层(2)、p埋层区(3)、n型轻掺杂漂移区(4)、栅氧化层(5)，其特征在于：
隐埋氧化层(2)覆盖在p型半导体衬底(1)上，p埋层区(3)覆盖在隐埋氧化层(2)上，n型轻掺杂漂移区(4)和栅氧化层(5)并排设置在p埋层区(3)上，n型轻掺杂漂移区(4)与栅氧化层(5)相接，n型重掺杂多晶硅栅(6)紧邻栅氧化层(5)设置，n型重掺杂多晶硅栅(6)的一侧与栅氧化层(5)相接；
在n型轻掺杂漂移区(4)顶部的两侧分别嵌入p型阱区(12)和n型缓冲区(15)，其中p型阱区(12)为p型较重掺杂半导体区，n型缓冲区(15)为n型较重掺杂半导体区，p型阱区(12)的一侧与栅氧化层(5)相接；p型阱区(12)的顶部嵌入n型源区(10)和p型欧姆接触区(11)，n型源区(10)的一侧与p型欧姆接触区(11)相接，n型源区(10)的另一侧与栅氧化层(5)相接，p型欧姆接触区(11)设置在n型源区(10)与n型缓冲区(15)之间；n型缓冲区(15)的顶部嵌入n型漏区(14)，p型欧姆接触区(11)与n型漏区(14)之间顺序间隔有p型阱区(12)、n型轻掺杂漂移区(4)和n型缓冲区(15)；所述的p型欧姆接触区(11)为p型重掺杂形成，n型源区(10)和n型漏区(14)为n型重掺杂形成；
栅氧化层(5)的顶部设置有第一场氧化层(8-1)，第一场氧化层(8-1)覆盖了相邻的栅氧化层(5)的顶部、n型重掺杂多晶硅栅(6)的顶部，以及n型源区(10)顶部的一部分；n型轻掺杂漂移区(4)的顶部设置有第二场氧化层(8-2)，第二场氧化层(8-2)覆盖了相邻的p型欧姆接触区(11)顶部的一部分、p型阱区(12)的顶部、n型轻掺杂漂移区(4)的顶部、n型缓冲区(15)的顶部、以及n型漏区(14)顶部的一部分；
金属栅极(7)紧邻n型重掺杂多晶硅栅(6)设置，并与n型重掺杂多晶硅栅(6)的另一侧、以及栅氧化层(5)和第一场氧化层(8-1)相接；n型源区(10)的顶部设置有金属源极(9)，金属源极(9)覆盖了相邻的第一场氧化层(8-1)顶部的一部分、n型源区(10)顶部的一部分、p型欧姆接触区(11)顶部的一部分、以及第二场氧化层(8-2)顶部的一部分；n型漏区(14)的顶部设置有金属漏极(13)，金属漏极(13)覆盖了相邻的n型漏区(14)顶部的一部分以及第二场氧化层(8-2)顶部的一部分。
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