[发明专利]一种高纯氟化镁晶体的生产方法无效

专利信息
申请号: 201110056251.8 申请日: 2011-03-09
公开(公告)号: CN102674410A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 侯红军;杨华春;薛旭金;于贺华;张辉;常运昌;王建萍;马小芬;孙新建;张凯 申请(专利权)人: 多氟多化工股份有限公司
主分类号: C01F5/28 分类号: C01F5/28
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 牛爱周
地址: 454191 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 氟化 晶体 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种高纯氟化镁晶体的生产方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将碳酸镁与水混合,搅拌,配制成重量百分比浓度为1%~10%的碳酸镁悬浮液,向该碳酸镁悬浮液中通入CO2气体,CO2气体的分压力为0.2~10个大气压,碳化反应2~40小时,控制反应温度为1℃~30℃,之后得反应液A,备用;

(2)将氟硅酸氨解,制得重量百分比浓度为5~50%的氟化铵溶液或氟化氢铵溶液;

(3)将步骤(1)所得反应液A与步骤(2)得到的氟化铵溶液或氟化氢铵溶液混合,得混合液B,混合液B中所含镁元素、氟元素的摩尔比为:Mg元素:F元素=1:(1~3),混合液B在5~80℃下反应0.5~7小时,得到高纯氟化镁料浆,反应过程中生成的CO2气体经收集后返回步骤(1),用于碳化反应,反应过程中生成的氨气经收集后返回步骤(2)使用;

(4)步骤(3)所述高纯氟化镁料浆经过滤,滤液返回步骤(1),用于配制碳酸镁悬浮液,滤饼为高纯氟化镁软膏,滤饼经洗涤、干燥,之后在450~600℃下烧结5~18小时,即得高纯氟化镁晶体。

2.根据权利要求1所述的高纯氟化镁晶体的生产方法,其特征在于,步骤(1)所述的碳酸镁为工业级碳酸镁或高纯碳酸镁。

3.根据权利要求1所述的高纯氟化镁晶体的生产方法,其特征在于,步骤(2)所述的氟硅酸为磷肥行业的副产物或无水氢氟酸生产过程中的副产物。

4.根据权利要求1所述的高纯氟化镁晶体的生产方法,其特征在于,步骤(4)中干燥过程为真空干燥,干燥温度控制为50~150℃,干燥12~24小时。

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