[发明专利]一种高掺氮的硅片及其快速掺氮的方法无效
| 申请号： | 201110056175.0 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102168312A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;王彪;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B31/06 | 分类号： | C30B31/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 马士林 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高掺氮 硅片 及其 快速 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺氮的硅片，其特征在于，氮掺杂浓度为1×1015～1.2×1016atom/cm3，并通过如下方法制备：
将硅片置于氮气氛下，加热升温至1150～1250℃，维持30～180秒，冷却。
2.一种在硅片中快速掺入氮杂质的方法，包括：将硅片置于氮气氛下，加热升温至1150～1250℃，维持30～180秒，冷却。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的氮气纯度不低于99.99％。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的硅片为单晶硅片。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的冷却为先以5～50℃/s的速率降温至700～900℃，接着自然冷却。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的升温速率为50～100℃/s。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，加热升温至1250℃，维持90s。
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