[发明专利]一种导电膜、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种导电膜制备方法，包括如下步骤：

将三氧化二铝、二氧化硅掺杂于氧化锌混合，烧结作为靶材；所述混合物中三氧化二铝的质量百分含量为0.5％～3％，所述二氧化硅的质量百分含量为0.5％-1.5％，余量为所述氧化锌；

将所述靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空至1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，设置工作压强为0.2Pa～1.5Pa，以氢气与惰性气体混合气体为工作气体，其中，氢气的体积百分含量为1％～10％，气体流量15sccm～25sccm，衬底温度为300℃～650℃，所述磁控溅射中在垂直于溅射粒子飞行方向施加线圈匝数为50N～500N，励磁电流为0.1A～5A的电磁场，得到导电膜。

2.如权利要求1所述的导电膜制备方法，其特征在于，所述混合物中三氧化二铝的质量百分含量为1％～2％，所述二氧化硅的质量百分含量为1％～1.2％，余量为所述氧化锌。

3.如权利要求1所述的导电膜制备方法，其特征在于，所述将混合物烧结、形成溅射靶材的步骤中，烧结温度为900℃～1300℃。

4.如权利要求1所述的导电膜制备方法，其特征在于，所述磁控溅射中，衬底温度为400℃～550℃。

5.如权利要求1所述的导电膜制备方法，其特征在于，所述氢气和惰性气体的混合气体中，氢气的体积百分含量为5％。

6.如权利要求1所述的导电膜制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的工作压强为0.2Pa～1.5Pa。

7.一种如权利要求1任一项所述的导电膜制备方法制备的导电膜，所述电磁场线圈匝数为100N～400N。

8.一种如权利要求1任一项所述的导电膜制备方法制备的导电膜，所述电磁场励磁电流为1A～4A。

9.一种如权利要求1～8任一项所述的导电膜制备方法制备的导电膜，所述导电膜的晶粒尺寸为200nm～500nm。

10.如权利要求1～8任一项所述的导电膜制备方法制备的导电膜在太阳能器件、电致发光器件或场发射器件中的应用。