[发明专利]一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法

权利要求书

1.一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)；

2)在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)；

3)在硬掩膜层(2)上沉积光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，使用光刻技术在光刻胶(3)上光刻出中央开口的图形；

4)使用腐蚀液腐蚀掉与光刻胶中央开口部分(5)对应的硬掩膜层，形成带第一通孔(6)的硬掩膜层(2)，第一通孔(6)与芯片的大小一致；

5)使用刻蚀技术对基片(1)进行深刻蚀，将基片(1)刻穿，得到大小及高度与芯片(4)一致的第二通孔(7)；

6)将带有第二通孔(7)的基片(1)上的光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，至此得到甩胶套(8)；

7)将芯片(4)放入甩胶套(8)中央的第二通孔(7)；

8)将装有芯片(4)的甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，并将支持薄膜(9)固定在甩胶机上；

9)将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面并充分扩散，待充分填充芯片(4)与甩胶套(8)之间的间隙后，启动甩胶机进行甩胶，得到芯片(4)表面厚度均匀的光刻胶(11)。

2.根据权利要求1所述的在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：硬掩膜层(2)的沉积方法是等离子体增强化学气相淀积或微波电子回旋共振-化学气相沉积。

3.根据权利要求1所述的在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：所述刻蚀技术是感应耦合等离子体刻蚀或反应离子刻蚀或湿法刻蚀或等离子刻蚀。

4.根据权利要求1所述的在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：所述基片(1)是硅片或塑料片或石英玻璃片。

5.根据权利要求3所述的在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：选用硅片时，硬掩膜层(2)材料是二氧化硅。

6.根据权利要求4所述的在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：所述的硅片在300μm～400μm时，二氧化硅硬掩膜层(2)厚度是2～5μm。

7.根据权利要求4所述的在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：所述腐蚀液是氢氟酸。

8.根据权利要求1所述的在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：所述支撑薄膜(9)是粘性薄膜，甩胶套(8)粘贴在支撑薄膜(9)上。