[发明专利]一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110053124.2 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102364704A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;蔡春锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cdte pbte 红外 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CdTe/PbTe中红外发光器件，其特征在于，包括基底和沉积在基底上的CdTe/PbTe异质结，所述CdTe/PbTe异质结主要由窄带隙PbTe半导体薄膜和较宽带隙CdTe半导体薄膜构成。
2.一种权利要求1所述CdTe/PbTe中红外发光器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
（1）准备CdZnTe、BaF2、GaAs、Si或Ge基底；
（2）利用分子束外延（MBE）设备生长PbTe单晶薄膜，PbTe单晶薄膜的生长温度为300~350°C，厚度为500~2000nm；
（3）再利用分子束外延（MBE）设备在PbTe薄膜上生长CdTe，CdTe薄膜的生长温度为50~275°C， 厚度为50~500nm。
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