[发明专利]一种竖直二极管阵列的制造方法有效
| 申请号： | 201110051916.6 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102655090A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/762;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 竖直 二极管 阵列 制造 方法 | ||
1.一种竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内部形成有N/P型区，所述半导体衬底上依次形成有外延层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；
沿位线方向进行刻蚀，形成贯穿所述N/P型区的位线方向深沟槽；
移除所述第二硬掩膜层，并在所述第一硬掩膜层和位线方向深沟槽表面沉积第一氧化层；
在所述位线方向深沟槽中填充多晶硅，回刻蚀所述多晶硅后沉积第二氧化层并平坦化至所述第一硬掩膜层；
在所述第一硬掩膜层上形成与所述位线方向深沟槽垂直的图案化的字线方向光刻胶；
以所述图案化的字线方向光刻胶为掩膜，去除第一硬掩膜层，对所述第二氧化层进行凹槽刻蚀，形成凹槽；
剥离所述图案化的字线方向光刻胶，对所述凹槽进行湿法清洗；
对所述位线方向深沟槽与所述图案化的字线方向光刻胶所围的区域进行刻蚀，形成浅槽隔离结构；
在所述位线方向上两相邻的所述浅槽隔离结构之间区域的外延层中形成PN结，得到竖直二极管阵列。
2.如权利要求1所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层为正硅酸乙酯热分解SiO2层。
3.如权利要求1所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，所述形成所述N/P型区的位线方向深沟槽采用的刻蚀方式为垂直刻蚀或倒梯形倾斜刻蚀。
4.如权利要求1所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，采用高深宽比工艺和高浓度等离子体化学气相沉积工艺沉积所述第二氧化层。
5.如权利要求1所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，所述凹槽底部的第二氧化层厚度大于侧壁的第二氧化层厚度。
6.如权利要求1所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，对所述凹槽采用稀释氢氟酸进行湿法清洗。
7.如权利要求6所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，所述稀释氢氟酸采用质量分数为49％的氢氟酸和水按照体积比1∶50～1∶100配制而成。
8.如权利要求1或7所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，对所述凹槽进行湿法清洗后凹槽底部保留的第二氧化层厚度为100～200埃。
9.如权利要求1所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，所述第第一硬掩膜层为氮化硅层。
10.如权利要求1所述的竖直二极管阵列的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层为氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
