[发明专利]固体摄像器件有效
| 申请号: | 201110051858.7 | 申请日: | 2011-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN102194842A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 海上尚子;物井诚;田中长孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 器件 | ||
1.一种固体摄像器件,其特征在于,
具备半导体基板和在上述半导体基板内以一定间距二维配置的多个像素,
上述各像素具备:
第一光电二极管,用于将入射光进行光电变换、并蓄积经变换而得到的电荷;
第二光电二极管,用于将入射光进行光电变换、并蓄积经变换而得到的电荷,该第二光电二极管的饱和电荷量比上述第一光电二极管大;
第一微透镜,用于将光聚集到上述第一光电二极管;以及
第二微透镜,用于将光聚集到上述第二光电二极管,该第二微透镜的开口比上述第一微透镜小。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
还具备:
第一读取晶体管,与上述第一光电二极管连接,用于读取上述蓄积的信号电荷;
第二读取晶体管,与上述第二光电二极管连接,用于读取上述蓄积的信号电荷;
浮动扩散区,与上述第一及第二读取晶体管连接,蓄积所读取到的上述信号电荷;
复位晶体管,对上述浮动扩散区的电位进行复位;以及
放大晶体管,放大上述浮动扩散区的电位。
3.根据权利要求2所述的固体摄像器件,其特征在于,
具备:
第一动作模式,将上述第一光电二极管的信号电荷和上述第二光电二极管的信号电荷的双方读取到上述浮动扩散区,从而对这些电荷进行加法运算,将通过该加法运算而得到的上述浮动扩散区的电位放大后输出;以及
第二动作模式,将上述第二光电二极管的信号电荷读取到上述浮动扩散区,将通过该读取而得到的上述浮动扩散区的电位放大后输出。
4.根据权利要求2所述的固体摄像器件,其特征在于,
具备:
第一动作模式,分别读取上述第一光电二极管的信号电荷和上述第二光电二极管的信号电荷,并输出信号;以及
第二动作模式,读取上述第二光电二极管的信号电荷,并输出信号。
5.根据权利要求4所述的固体摄像器件,其特征在于,
在上述第一动作模式中,上述分别读取到的信号以一定的比率被进行加权加法运算后被输出。
6.根据权利要求3所述的固体摄像器件,其特征在于,
在将上述第一光电二极管的光灵敏度表示为SENS1,饱和电平表示为VSAT1,上述第二光电二极管的光灵敏度表示为SENS2,饱和电平表示为VSAT2时,满足下式,
VSAT1/SENS1<VSAT2/SENS2。
7.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述第一微透镜和上述第二微透镜相互配置成相间格子图案状。
8.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述像素形成在上述半导体基板的表面部分,上述各微透镜形成在上述半导体基板的表面的上方。
9.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,
上述像素形成在上述半导体基板的表面部分,上述各微透镜形成在上述半导体基板的背面上。
10.一种固体摄像器件,其特征在于,具备:
半导体基板;
摄像区域,在上述半导体基板上在行方向和列方向上以一定间距二维配置多个像素来形成该摄像区域;
垂直移位寄存器,与上述摄像区域的行方向的端部相邻地被设置,向上述摄像区域的各行提供像素驱动信号;以及
水平移位寄存器,与上述摄像区域的列方向的端部相邻地被设置,提取来自上述摄像区域的各列的信号,
上述各像素具备:
第一光电二极管,用于将入射光进行光电变换、并蓄积经变换而得到的电荷;
第二光电二极管,用于将入射光进行光电变换、并蓄积经变换而得到的电荷,该第二光电二极管的饱和电荷量比上述第一光电二极管大;
第一微透镜,用于将光聚集到上述第一光电二极管;以及
第二微透镜,用于将光聚集到上述第二光电二极管,该第二微透镜的开口比上述第一微透镜小。
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