[发明专利]压敏电阻厚膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110051455.2 申请日: 2011-03-03
公开(公告)号: CN102176365A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 柯磊 申请(专利权)人: 上海电机学院
主分类号: H01C17/00 分类号: H01C17/00;H01C17/065;H01C17/30;H01C7/12
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 压敏电阻 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

将包含三氧化二钇的微米原料混合后,采用高能球磨的方法湿磨,然后将球磨后的混合粉体烘干,再采用高能球磨的方法干磨,得到混合均匀的纳米级干燥粉体;

将所述纳米级干燥粉体加入到有机载体中并调浆,得到压敏电阻浆料;

在陶瓷片基底上采用丝网印刷的方式形成底电极,采用丝网网板将所述压敏电阻浆料分步多次印刷于所述底电极上,每次印刷完成后烘干,形成厚膜压敏层,然后在所述厚膜压敏层上采用丝网印刷的方式形成顶电极;

将具有所述底电极、所述厚膜压敏层和所述顶电极的基底放入电阻炉中,在700~800℃条件下进行低温烧结;

在所述底电极和所述顶电极端面上形成电极引出线。

2.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,所述微米原料为氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑、三氧化二铬、三氧化二钴、二氧化锰、三氧化二钇的混合物,所述氧化锌、三氧化二铋、三氧化二锑、三氧化二铬、三氧化二钴、二氧化锰、三氧化二钇的摩尔比为96.42∶0.7∶1.0∶0.5∶0.8∶0.5∶0.08。

3.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,采用高能球磨方法湿磨时,加入15ml无水乙醇,湿磨5~10小时,其中,球料比的范围为10~40∶1,球磨转速范围为300~600rpm。

4.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,采用高能球磨方法干磨时,干磨1~2小时,其中,球料比的范围为10~40∶1,球磨转速范围为300~600rpm。

5.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,所述有机载体为将乙基纤维素溶于松油醇配制形成的浓度为2~10%的有机载体。

6.如权利要求5所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,将所述纳米级干燥粉体加入到所述有机载体中并调浆的步骤中,所述纳米级干燥粉体与所述有机载体的质量比为1∶(0.5~2)。

7.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,所述基底为氧化铝陶瓷片基底,采用丝网印刷导电银浆并于100℃的温度下烘干的方式,形成所述底电极和所述顶电极。

8.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,采用6~60μm的丝网网板,将所述压敏电阻浆料分2~10步,每步2~5次的方式印刷于所述底电极上,每次刷制完成后在100℃的温度下烘干,形成所述厚膜压敏层。

9.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,在所述低温烧结的步骤中,将具有所述底电极、所述厚膜压敏层和所述顶电极的基底放入所述电阻炉中,逐渐升温至700~800℃,保温0.5~2小时后随炉降温至室温。

10.如权利要求1所述的压敏电阻厚膜的制备方法,其特征在于,在形成电极引出线的步骤中,在所述底电极和所述顶电极端面上采用常温快干导电银胶粘制电极引出线。

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