[发明专利]电子元件去污液

说明书

技术领域

本发明关于一种电子元件清洗液，特别是对电子元件中非金属元件部分进行去污。

背景技术

在电子产品的生产加工制备过程中，以半导体元件制备为例，通常需要使用到金属涂覆工艺、机械化学磨蚀工艺等物理和化学处理工艺，因而将在其表面形成物理和化学残留，如金属杂质、有机、无机杂质和固体粒子。这些残留物质不仅印象产品的外观，更有可能会对后续的工艺处理形成有毒的危害，影响产品的精度和寿命。随着半导体元件不端对精度要求的提高，去除杂质和污损物将是其必然要求。当然这些要求对电子玻璃及LCD等其他需要光学、电学作用的元件也同样适用。

同时，该领域对去污液也要求需要适用安全环保以保证操作人员的人身健康，禁止易燃易爆危害的发生；便于制备、成本低；去污后保持时间长，并对电子元件不造成性能上的腐蚀；而使用后的去污材料的后续排放和处理也应满足日益增长的环境要求。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种电子元件去污液，其按照重量百分比的构成组份如下：表面活性剂5-8％，辅助溶剂2-4％，防腐、防锈剂0.2-0.4％，其余为去离子水；所述表面活性剂为离子-非离子表面活性剂；所述辅助溶剂为多元醇类溶剂。

本发明中的去污剂能对电子材料表面上的金属离子，有机及无机杂质和固体粒子进行有效清洗，清洗力强，清洗后可直接排液对环境无污染，清洗后的材料不锈蚀。特别是有利于针对半导体晶片、电子玻璃基板或LCD等非金属部件的去污。

具体实施方式

本发明提供一种电子元件去污液，其按照重量百分比的构成组份如下：表面活性剂5-8％，辅助溶剂2-4％，防腐、防锈剂0.2-0.4％，其余为去离子水；所述表面活性剂为离子-非离子表面活性剂；所述辅助溶剂为多元醇类溶剂。

作为本发明的进一步改进，所述防腐、防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑。所述多元醇类溶剂是乙醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇任意一种或几种的混合物构成。

作为本发明的进一步改进，所述离子-非离子表面活性剂包括：阴离子性表面活性剂、阴离子性表面活性剂与非离子性界面活性剂的混合物或者阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂的混合物。所述阴离子表面活性剂是仲烷基磺酸钠，非离子表面活性剂是脂肪酸甲酯乙氧基化物和/或烷基多苷。

作为本发明的更进一步的改进和实施例，提供一种电子元件去污液，其特征是所述清洗剂由下列重量百分比组份构成：阴离子表面活性剂仲烷基磺酸钠2-5％、非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物1-2％和/或烷基多苷2-4％；防腐、防锈剂油酸三乙醇胺0.1-0.2％、苯并三氮唑0.1-0.2％；辅助溶剂乙醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中任意一种或几种2-3％；其余为去离子水。

本发明所提供的电子元件去污液，特别是可广泛应用于电子元件部分的非金属材料或部件上的去污。所述非金属部件包括：半导体晶片、电子玻璃基板或LCD等对去污效果要求高、去污后元件的平整度和残留要求高的电子元件领域。

本发明中的去污液生产工艺也相应简单，其配制过程如下；按照上述实施例中的配比加入原料，在50℃温度下搅拌45分钟后静置60分钟至室温，即为本发明产品的去污液。

同时在生产过程中，为了便于运输，可以将其配制成浓缩液，即去离子水在生产过程中不加入进去，在使用时再将去离子水按配比加入使用。

本发明使用上述配比方案，以水基为溶液，以表面活性液为主要成份，添加入多元醇类作辅助溶液，使生产出的清洗液更环保，减少了对环境污染，不危害操作者健康，并且清洗效率高，清洗时间短，渗透力高，在组份中不含磷酸盐和亚硝酸盐，生物降解性能好，可对半导体晶片，电子玻璃LCD屏等表面上的金属离子、有机、无机杂质和固体粒子进行清洗，对清洗后的电子材料能起防腐防锈作用。

本发明电子元件去污液使用离子-非离子表面活性液，离子表面活性液使用阴、阳离子表面活性液均可；通过实验研究以选用阴子表面活性液为佳。如选用SAS-伸烷基磺酸钠，非离子表活性液可选用聚氧乙烯型非离子表面活性液，多元醇型非离子表面活性液，及其它类型表面活性液，通过实验研究选用FMEE-脂肪酸甲酯乙氧基化物，和APG-烷基多苷；辅助溶液选用多元醇类；添加防腐，防锈液使清洗后的材料不腐蚀生锈；溶液用去离子水。

本发明电子元件去污液能够达到99％以上的清洗率，无可见残留，去污后的水不溶物小于0.03％，同时其PH为中性，对金属无腐蚀现象，且物理化学状态稳定长时间下无分层、析出等现象。便于大规模安全的使用，符合环保要求。