[发明专利]一种有源阵列液晶显示面板的基板

说明书

技术领域

本发明涉及有源阵列液晶显示面板的基板，更具体地，涉及一种象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上的投影面积的总和小于各自实际面积之和的有源阵列液晶显示面板的基板。

背景技术

以非晶硅制造的有源阵列薄膜三极管液晶显示(Active Matrix Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，AM TFT LCD)面板是目前图像液晶显示器主流产品。AM TFT LCD面板的主要结构是上下两片玻璃，上片玻璃主要用来产生颜色，也称CF(Color Film)玻璃，下片玻璃表面做有象素电极11和寻址电路阵列，称作TFT阵列玻璃，简称阵列玻璃，其阵列结构如图1所示，其中TFT 3是信号线1和象素电容器5之间的开关。AM TFT液晶显示面板的工作过程如下：当TFT 3的栅极(G)高电平时，源极(S)和漏极(D)之间沟道导通，电流由信号线1通过TFT3向象素电容器5充电。当栅极低电平时，S和D之间断开，象素电容器5上的电压得到保存。

AM TFT LCD目前的应用非常广泛，但其也存在以下不足：

在TFT LCD中，由于象素电容器5和TFT3都不透明，且做在一个平面上，因此，TFT LCD的开口率比较低，高清晰度LCD的开口率甚至低过40％。

在TFT LCD中，每一行的TFT3的栅极依次与行扫描线2连接在一起。受象素面积限制，行扫描线2很细，其长度过大时会引起线上累积电阻和电容太大，使行扫描速度下降，因此，TFT LCD的显示面积不能做得很大。

AM TFT LCD可由非晶硅(amorphous Silicon，a-Si)和多晶硅(poly Silicon，p-Si)两种工艺制造，由a-Si制造TFT所需环境温度约600℃，可以在普通平板玻璃上制造，但600℃温度下任何塑料都将被融化或汽化，因此，TFT不能直接做在塑料衬底上。由p-Si制造TFT所需环境温度约1000℃，只能在石英(二氧化硅)玻璃上制造，不过石英玻璃价格昂贵，因此，p-Si TFT只用于制造小面积LCD。

此外，由于a-Si的电子迁移率很低，又不适合用掺杂法做PN节，因此，除了采用高温重结晶方法在a-Si基板周围生成p-Si，并在p-Si上制作行列驱动电路外，a-Si TFT本身不能做成具有行列驱动电路的一体化LCD面板，单纯用a-Si制造的大画面高容量显示面板的性能也远低于用p-Si制造的同类显示面板的性能。

发明内容

本发明的目的，就是要克服现有技术的不足，提供一种有源阵列液晶显示面板的基板，该基板的象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上的投影面积的总和小于各自实际面积之和，应用该基板的LCD其开口率可以得到提高。

为了实现以上目的，本发明采用以下技术方案：

一种有源阵列液晶显示面板的基板，包括底板、扫描线、与扫描线交叉的信号线、位于交叉点附近的象素电容器和与象素电容器串联的开关，所述象素电容器和与象素电容器串联的开关在垂直于显示面板表面的方向上投影面积的总和小于各自实际面积之和。

进一步地，所述底板在靠近液晶层一侧开有多条凹槽，所述凹槽内设置有玻璃纤维。

为了便于玻璃纤维的生产，所述玻璃纤维的截面可以为圆形。

为了跟现有工艺配合，所述玻璃纤维的截面为矩形。

为了避免象素电容与象素电容器串联的开关位于同一平面而影响开口率，所述底板的凹槽壁上制作有象素电容器。

进一步地，为了能够用光信号控制像素电容器的充放电，所述玻璃纤维至少于一端设置有可控的光源。

为了让与象素电容器串联的开关的制造过程可以与底板分开，所述开关被制作在玻璃纤维表面，同时，为了与现有工艺兼容，所述玻璃纤维的表面制作有薄膜晶体管。

进一步地，为了能够用光信号控制像素电容器的充放电，所述的玻璃纤维的表面制作有光敏电阻，所述玻璃纤维至少于一端设置有可控的光源。

为了制造一体化显示面板，至少一根玻璃纤维的表面沉积有多晶硅。

进一步地，为了制造p-Si AM LCD，所有的玻璃纤维的表面均沉积有多晶硅。

为了跟现有工艺兼容，所述底板材质可以是玻璃。

作为对传统液晶显示面板底板材质的重大突破，所述底板材质可以是塑料。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：