[发明专利]输出端口隔离的H面波导T型结无效

专利信息
申请号: 201110048331.9 申请日: 2011-03-01
公开(公告)号: CN102655258A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 陈艳丽 申请(专利权)人: 陈艳丽
主分类号: H01P5/20 分类号: H01P5/20;H01P11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230027 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 输出 端口 隔离 波导 型结
【权利要求书】:

1.输出端口隔离的H面波导T型结可以实现输出端口间的隔离,其特征在于所述方法,包括以下步骤:

1)首先按照传统的H面波导T型结设计方法设计出T型结。用仿真软件,如hfss、cst等软件对该结构进行仿真,然后得出该结构1端口激励时在波导中心轴面的磁场分布(此时2、3端口接匹配负载)。然后对2端口进行激励(此时1、3端口进行激励),查看2端口激励时波导中心轴面的磁场分布。

2)在波导的中心轴面上挖出一个槽,该槽的长度略微大于谐振频率的半波长,以保证该槽可以在波导工作的频率下进行辐射。当电磁波能量从1端口输入时图中箭头代表中心轴面上的电磁波的磁场方向。当电磁波能量从2端口输入时图中箭头代表中心周面上的电磁波的磁场方向,从端口2进入的电磁波能量会进入到1和3端口中去。增加了输出端口间的隔离,可以大大增强所使用系统的稳定型和可靠性。

3)该方法减少了波导的金属材料使用。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述方法步骤中1)中,选择波导的中心轴面,查看不同情况下磁场在中心轴面上的分布。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于选择两种情况下的磁场分布。第一种情况是,当该波导的1端口激励,而2、3端口接匹配负载时中心轴面的磁场分布;另一种情况时,当该波导的2或3端口激励,而1和3或2端口接匹配负载时中心轴面的磁场分布。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述方法步骤中2)中,在波导的中心轴面上挖槽。

5.根据权利要求4所述,其特征在于在波导的中心轴面上挖槽的长度。根据天线辐射原理,设定该槽的长度为略大于二分之一波长。则当磁场垂直于该槽的时候,能量将会辐射出去,而不会流入其他端口,从而产生隔离的效果。

6.根据权利要求4所述,其特征在于当波导1端口激励,而2、3端口接匹配负载时,槽与中心轴面处的磁场方向平行;当波导2或3端口激励时,而当1和3或2端口接匹配负载时,槽与中心轴面处的磁场方向垂直。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述方法步骤中3)中,该新型波导可以减少中心槽出的金属材料。

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