[发明专利]氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法及专用靶材无效
| 申请号： | 201110046931.1 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102080212A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 褚君浩;梁艳;马建华;朱晓晶;姚娘娟;王善力;江锦春 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能电池研究与发展中心 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化锌 透明 导电 薄膜 低温 制备 方法 专用 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法，其特征在于具体步骤如下：
A、衬底处理：将专用靶材安装到磁控溅射设备的靶枪上，将清洗干净的衬底放到溅射腔的基片台上，采用机械泵将腔室真空抽至1×10-1Pa，用高纯Ar对衬底进行等离子体反溅射清洗；
等离子体反溅射清洗参数的范围设定为：溅射气压为3～6Pa，偏置电压为600～800V，占空比为15～25％，反溅射时间为5～10分钟；
B、薄膜制备：然后采用机械泵和分子泵将溅射腔抽至2×10-4Pa的本底真空，而后开始薄膜的制备，磁控溅射参数的范围设定为：
溅射功率为50W～250W，溅射气体为高纯Ar，气压为0.1～0.3Pa，衬底温度为从室温～200℃，通过沉积时间来控制薄膜厚度在500～1000nm范围。
2.根据权利要求1的一种氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法，其特征在于：所述的衬底材料为玻璃、石英、硅片、柔性不锈钢衬底或有机聚合物。
3.根据权利要求2的一种氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法，其特征在于：所述的有机聚合物为聚碳酸酯、聚酯、聚酰亚胺、聚乙烯对本二甲酯、聚丙烯乙二酯或聚丙烯。
4.根据权利要求1的一种氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法，其特征在于：所述的专用靶材为掺杂V2O5的ZnO陶瓷靶材，掺杂浓度：V/(V+Zn)的原子百分比为0.5～3％。
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