[发明专利]一种基于正反馈的悬浮差分有源电感无效

专利信息
申请号: 201110046906.3 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN102142829A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 陈勇;杨佳乐;张莉;王燕;钱鹤 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03H11/02 分类号: H03H11/02;H03H11/04
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廖元秋
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 正反馈 悬浮 有源 电感
【权利要求书】:

1.一种基于正反馈的悬浮差分有源电感,包括:

第一电容C1p和第二电容C1n,用于产生电感;

差分阻抗变换器,用于将第一电容和第二电容变换成基于正反馈的悬浮差分的有源电感;其特征在于:还包括:

正跨导稳定器,用于对上述差分阻抗变换器的负阻抗进行补偿;

负跨导抵消器,用于抵消有源电感的串联阻抗;

其中,第一电容和第二电容的正极端相连,第一电容和第二电容的负极端接地;差分阻抗变换器的两个输入端、负跨导抵消器的输出端分别与第一电容和第二电容的正极端相连;负跨导抵消器的输入端与电源相连;正跨导稳定器的输入端与差分阻抗变换器的两个输出端相连,正跨导稳定器的输出端接地;差分阻抗变换器的两个输出端作为基于正反馈的悬浮差分有源电感的的两个端口。

2.如权利要求1所述所述基于正反馈的悬浮差分有源电感,其特征在于,所述差分阻抗变换器,由第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管组成;第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极相连,第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的栅极相连;第三PMOS管的栅极与第四PMOS管的漏极相连,第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的栅极相连;第一电容和第二电容,用于产生电感,第一电容的正极同时与所述第二PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极相连,第一电容的负极接地;第二电容的正极同时与所述第一PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极相连,第二电容的负极接地;

所述正跨导稳定器,由第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管组成;第五PMOS管的栅极和漏极同时接地;第五PMOS管的源极同时与所述的第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极相连;第六PMOS管的栅极和漏极同时接地;第六PMOS管的源极同时与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极相连;第七PMOS管的栅极和漏极同时接地;第七PMOS管的源极同时与所述第三PMOS管的漏极和第四PMOS管的栅极相连;第八PMOS管的栅极和漏极同时接地;第八PMOS管的源极同时与所述第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的漏极相连;

所述负跨导抵消器,由第九PMOS管和第十PMOS管组成;第九PMOS管的栅极同时与所述第二PMOS管的源极和第四PMOS管的源极相连;第九PMOS管的漏极同时与所述第一PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极和第二电容的负极相连;第九PMOS管的源极接电源;第十PMOS管的栅极同时与所述第一PMOS管的源极和第三PMOS管的源极相连;第十PMOS管的漏极同时与所述第二PMOS管的源极、第四PMOS管的源极和第一电容的负极相连;第十PMOS管的漏极与电源相连;

所述第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极和第五PMOS管的源极相连节点成为悬浮差分有源电感的第一端口正端,所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极和第六PMOS管的源极相连节点成为悬浮差分有源电感的第一端口负端;所述第三PMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极和第七PMOS管的源极相连节点成为悬浮差分有源电感的第二端口负端,所述第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的漏极和第八PMOS管的源极相连节点成为悬浮差分有源电感的第二端口正端;

所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管的源极和衬底各自相连。

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