[发明专利]一种制备碳材料表面抗氧化Nb涂层的方法无效
| 申请号: | 201110045228.9 | 申请日: | 2011-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN102127737A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | 李翠艳;黄剑锋;刘辉;曹丽云;卢靖;吴建鹏 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
| 主分类号: | C23C14/18 | 分类号: | C23C14/18;C23C14/35;C04B41/88 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 汪人和 |
| 地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 材料 表面 氧化 nb 涂层 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制备碳材料表面抗氧化涂层的方法,属于碳材料保护领域。
背景技术
碳材料具有高温强度高,导电传热性好,耐腐蚀等优良特性,广泛地应用于航空航天、核能、电子、化工及冶金等高温领域作为结构和工程材料。然而,碳材料在370℃以上的氧化气氛中就开始发生氧化反应,使其物理及力学性能降低,限制了其高温的使用特性。因此,碳材料的氧化防护是延长其工作寿命,提高其工作稳定性和可靠性的根本措施。
对碳材料进行涂层处理是解决碳材料高温氧化防护的一种有效方法。在碳材料表面制备抗氧化涂层的方法通常有以下几种方法:包埋固渗法、涂刷法、等离子喷涂法及CVD法等。中国发明专利第200510012730.4号公开了一种碳材料表面高温抗氧化涂层的制备方法,该方法采用涂刷或喷涂法将浆料包覆在碳材料表面,经干燥、烧结后得抗氧化涂层;J.I.Kim等在Design of a C/SiC functionallygraded coating for the oxidation protection of C/C composites[Carbon,2005,43(8):1749-1757]中采用CVD方法在碳/碳复合材料表面制备了C/SiC抗氧化涂层;Amit Datye等在Synthesis and characterization of aluminum oxide-boron carbidecoatings by air plasma spraying[Ceramics International,2010,36(5):1517-1522]采用等离子喷涂方法在碳/碳复合材料表面制备了C/SiC抗氧化涂层。然而,这几种方法制备的涂层一般含有很多微裂纹及孔洞,影响其抗氧化能力。且CVD工艺复杂、影响参数多,对设备要求较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种制备碳材料表面抗氧化Nb涂层的方法。所得的抗氧化Nb涂层致密性和均匀性较好,有利于碳材料抗氧化性能的提高,且设备简单、操作方便。
为实现上述目的,本发明提供了一种制备碳材料表面抗氧化Nb涂层的方法,包括以下步骤:
步骤1:对碳材料用SiO2砂纸进行打磨、抛光,然后超声清洗,最后用去离子水冲洗,烘干备用;
步骤2:采用超高真空多功能磁控溅射镀膜设备,将步骤1所得的碳材料安装于进样室内的基片架上;
步骤3:将纯度为99.9%的金属Nb靶置于主溅射室内的直流阴极上,作为靶材;
步骤4:对主溅射室和进样室抽真空至背底真空小于等于10-4Pa后,向其中通入纯度为99.99%的高纯氩气;
步骤5:调节碳材料与靶材的间距为30~60nm,溅射10~40min后取出试样,即得碳材料表面抗氧化Nb涂层。
作为本发明的一种优选方案,所述碳材料选自石墨、碳/碳复合材料或碳纤维。
作为本发明的另一种优选方案,所述步骤4中氩气的压强控制在3Pa~9Pa,起辉溅射功率为100~400W。
本发明碳材料表面抗氧化Nb涂层的制备方法至少具有以下优点:本发明采用超高真空多功能磁控溅射镀膜设备,以纯金属Nb为靶材,体积分数为99.99%的高纯氩气为溅射气体,经直流磁控溅射在石墨材料表面制备抗氧化Nb涂层。该制备方法所得抗氧化Nb涂层致密性和均匀性好,具有抗热冲击性和良好的高 温抗氧化性能;通过调整磁控溅射工艺参数,可以方便控制涂层厚度,便于大面积制备涂层;制备涂层时基材温升低,涂层成分均匀稳定;且工艺过程相对简单,重复性好。
附图说明
图1是由本发明制备的抗氧化Nb涂层的XRD图谱;
图2是本发明制备的碳/碳复合材料表面抗氧化Nb涂层的SEM形貌。
具体实施方式
实施例1:
步骤1:将碳纤维用SiO2砂纸打磨、抛光,然后置于无水乙醇溶液中超声清洗,最后用去离子水冲洗,烘干备用;
步骤2:采用超高真空多功能磁控溅射镀膜设备,将步骤1所得的碳纤维安装于进样室内的基片架上;
步骤3:将纯度为99.9%的金属Nb靶置于主溅射室内的直流阴极上,作为靶材;
步骤4:对主溅射室和进样室抽真空至背底真空小于等于10-4Pa后,向其中通入纯度为99.99%的高纯Ar气,氩气的压强控制在3Pa;
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