[发明专利]一种高出光率发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 201110045126.7 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169929A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘慰华 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高出光率 发光二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：
1)使用气相沉积方法制造LED发光部分(5)；
2)生长至p型区域时，停止III族MO源的参与反应；
3)通入掺杂型MO源做表面预处理而形成阻挡层(4)；
4)使用气相沉积方法生长正常P型区域，使P型区域与阻挡层(4)间形成表面粗化层(3)。
2.根据权利要求1所述的高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：所述的步骤3)在900℃～1050℃的高温条件下进行。
3.根据权利要求2所述的高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：所述的步骤3)在930℃～950℃的高温条件下进行。
4.根据权利要求1所述的高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：所述的步骤4)在900℃～1050℃的高温条件下进行。
5.根据权利要求4所述的高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：所述的步骤4)在930℃～950℃的高温条件下进行。
6.根据权利要求1所述的高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：所述的P型区域为P型GaN。
7.根据权利要求1所述的高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：所述的III族MO源为TMGa。
8.根据权利要求1所述的高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：所述的掺杂型MO源为Cp2Mg、SiH4或DMZn中的一种。
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