[发明专利]一种LED芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED芯片。

背景技术

发光二极管(LED)是利用半导体材料中的电子与空穴结合时能量带位阶的改变，以发光形式，释放出能量。目前在市场上应用的发光二极管所发出的光为红、绿、蓝及白光等多种。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压低、耗电量低、反应速率快、耐震性佳等优点，可应用在银行汇率看板、汽车第三煞车灯、交通标志、户外信息看板与日常照明等各种应用领域中。现有的发光二极管(LED)主要由二极管芯片、引出电极和透明封装外壳构成。由于其具备寿命长、体积小、发热量低、耗电量少、反应速度快、无辐射及单色性发光的特性及优点，被广泛应用于各项产品中。但是现有的发光二极管芯片只能发出单一颜色的光，例如：白色发光二极管芯片只能发出白色的光，蓝色的发光二极管只能发出蓝色的光。现有的发光二极管芯片包括：一长晶层；一n型缓冲层，形成于长晶层上；一n型接触层，形成于n型缓冲层上；一n型限制层，形成于n型接触层上；一氮化镓发光第一层，形成于n型接触层上；一氮化镓发光第二层，形成于氮化镓发光第一层；一p型限制层，形成于氮化镓发光第二层上；一p型接触层，形成于p型限制层上；一p型电极，形成于p型接触层上；一n型电极，形成于n型限制层上。

现有技术中，芯片一般是以正方形切割，由于边缘有一边是不平行于解理面，切割时容易产生边角缺失或是边缘毛糙等情况，从而大大浪费了原材料，同时也无法从单位面积的外延片上分出更多优质的LED芯片，成本上造成了浪费。而且GaN基的发光二极管其外形设计不利于电流的有效扩展的芯片电极设计：离电极较远部分区域，电流密度小，整个芯片电流分布不均，进而会影响到发光效率。并且由于材料结构容易引起分割、崩裂芯片过程中产生破边而影响产品的良率。

发明内容

为了克服现有技术存在的不足，本发明要解决的技术问题在于提供一种电流扩展均匀、制程良率好的LED芯片。

为了解决本发明的技术问题，本发明提供了一种LED芯片，所述的LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。

本发明进一步改进在于，所述的发光二极管基板的材质为蓝宝石。

本发明进一步改进在于，所述的LED芯片的其中一边垂直于发光二极管基板的平边。

本发明进一步改进在于，所述的LED芯片的横截面形状为三角形。

本发明进一步改进在于，所述的LED芯片各个侧边之间的夹角为60°。

本发明进一步改进在于，N型电极线平行于芯片侧边。

本发明进一步改进在于，P型电极线平行于芯片侧边。

由于采用了以上技术方案，LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行，对LED芯片切割、崩裂分离时对LED芯片的伤害较小，防止出现边角缺失和边角粗糙的情况。无论是小芯片的图形电极设计还是大芯片图形电极设计，对芯片切割、崩裂分离时对芯片的伤害较小，芯片各区域电流密度分布较均匀，拥有更好的电流扩展效率。

附图说明

附图1为本发明实施例中解理面的分布示意图；

附图2为本发明实施例中设置了电极的LED芯片结构一的结构示意图；

附图3为本发明实施例中设置了电极的LED芯片结构二的结构示意图。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细闸述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本发明的实施例是一种LED芯片，LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行。矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些在解理中出现的平面称为解理面。LED芯片的各个侧边与发光二极管基底的解理面相平行，对LED芯片切割、崩裂分离时对LED芯片的伤害较小，防止出现边角缺失和边角粗糙的情况。