[发明专利]一种发光二极管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110045103.6 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169949A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘慰华 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管基板，其特征在于：所述的基板表面分布有复数个规则形状的凹陷。
2.根据权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：所述的凹陷的横截面形状为正六边形，纵截面形状为V型。
3.根据权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：所述的凹陷的纵截面为夹角为60°的V型。
4.一种发光二极管基板制造方法，其特征在于：包括如下步骤
1)在发光二极管基板表面生成不稳定的氧化镓键；
2)将氧化镓键从基板表面分解并形成复数个规则形状的凹陷。
5.根据权利要求1所述的发光二极管基板制造方法，其特征在于：所述的步骤1)中生成氧化镓键的方法为在发光二极管基板做前期热清理的过程中，通入III族MO源TMGa参与基板表面反应。
6.根据权利要求3所述的发光二极管基板制造方法，其特征在于：所述的步骤1)在600℃～800℃的高温条件下进行。
7.根据权利要求1所述的发光二极管基板制造方法，其特征在于：所述的步骤2)中在高温条件下将所述的氧化镓键从基板表面分解。
8.根据权利要求5所述的发光二极管基板制造方法，其特征在于：所述的步骤2)在1000℃～1250℃的高温条件下进行。
9.根据权利要求1所述的发光二极管基板制造方法，其特征在于：所述的发光二极管的材质为氧化铝。
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