[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110044658.9 | 申请日： | 2009-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102136500A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 须泽英臣;笹川慎也;村冈大河 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：
形成半导体层，所述半导体层包括氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟；
通过湿法蚀刻加工所述半导体层以形成岛状半导体层；以及
通过干法蚀刻加工所述岛状半导体层以在所述岛状半导体层中形成凹陷部分。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，
其中用于湿法蚀刻的蚀刻剂是包括乙酸、硝酸、和磷酸的混合溶液。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，
其中使用选自下列的气体来执行所述干法蚀刻：氯化硼(BCl3)、氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)、四氟化碳(CF4)、氟化硫(SF6)、氟化氮(NF3)、三氟甲烷(CHF3)、溴化氢(HBr)、和氧气(O2)、添加了诸如氦(He)、氩(Ar)的稀有气体的上述气体中的任意气体、或者氯气(Cl2)。
4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：
在加工所述岛状半导体层之后，在200-600℃下加热所述岛状半导体层。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，
其中所述岛状半导体层包括所述氧化物半导体的晶粒。
6.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，
其中所述岛状半导体层包括所述氧化物半导体的晶粒，并且
其中所述晶粒的直径为1-10nm。
7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，
其中所述氧化物半导体是In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体。
8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，
其中通过使用包括氯和氧的气体来执行所述干法蚀刻。
9.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：
形成栅电极；
在所述栅电极的上方形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层的上方形成半导体层，所述半导体层包括氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟；
通过湿法蚀刻加工所述半导体层以形成岛状半导体层；
在所述岛状半导体层的上方形成导电层；
通过第一干法蚀刻加工所述导电层以形成第一导电层和第二导电层，以及
通过第二干法蚀刻加工所述岛状半导体层以在所述岛状半导体层中形成凹陷部分。
10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，
其中用于湿法蚀刻的蚀刻剂是包括乙酸、硝酸、和磷酸的混合溶液。
11.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，
其中使用选自下列的气体来执行所述第一干法蚀刻和所述第二干法蚀刻：氯化硼(BCl3)、氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)、四氟化碳(CF4)、氟化硫(SF6)、氟化氮(NF3)、三氟甲烷(CHF3)、溴化氢(HBr)、和氧气(O2)、添加了诸如氦(He)、氩(Ar)的稀有气体的上述气体中的任意气体、或者氯气(Cl2)。
12.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：
在加工所述岛状半导体层之后，在200-600℃下加热所述岛状半导体层。
13.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，
其中所述岛状半导体层包括所述氧化物半导体的晶粒。
14.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，
其中所述岛状半导体层包括所述氧化物半导体的晶粒，并且
其中所述晶粒的直径为1-10nm。
15.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，
其中所述氧化物半导体是In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体。
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