[发明专利]一种人源性电压门控钾通道1.3免疫原性肽段及其用途

说明书

技术领域

本发明属于生物技术领域，涉及一种人源性电压门控钾通道1.3免疫原性肽段及其用途。该通道英文全称为human voltage-gated potassium channel 1.3，以下简称为hKv1.3。应用hKv1.3通道胞外环肽段E314制备的抗体，以下简称为抗hKv1.3胞外环肽段E314抗体，可以作为hKv1.3通道新的、特异性抑制剂。

背景技术

电压门控钾通道是一类能够允许钾离子透过细胞膜的跨膜蛋白。它们在神经元、肌细胞以及淋巴细胞等可兴奋及非可兴奋细胞的生物电信号传导中发挥作用。电压门控钾通道家族成员之一的Kv1.3通道已被证实大量分布于免疫细胞和大脑组织的某些特定区域。因此，近十年来，Kv1.3通道的研究受到广泛的关注。大量研究证实，Kv1.3对特定的淋巴细胞亚群发挥着关键性的调节作用。效应型记忆T细胞和/或Ig-class-switched记忆B细胞在多发性硬化、1型糖尿病、银屑病、类风湿关节炎、移植排斥、移植物抗宿主病、综合征以及系统性红斑狼疮等自身免疫性疾病的炎症损伤过程中起着至关重要的作用。一系列有关Kv1.3通道对淋巴细胞亚群调节作用的研究显示，Kv1.3通道能够调节自身反应的效应型淋巴细胞的活化和增殖。伴随着淋巴细胞的激活，Kv1.3通道高表达于特定的淋巴细胞亚群。Kv1.3通道在活化的效应型记忆T细胞-T_EM和Ig-class-switched记忆B细胞上的表达量显著升高，约从250个通道/细胞增加至1500个通道/细胞。伴随着淋巴细胞的活化，Kv1.3通道大量开放，钾离子外流，使得膜电位负值加大，跨膜电势差增大。顺着电势差，钙离子流入细胞内，导致胞内钙离子浓度的增加。而钙离子是重要的第二信使，胞内钙离子浓度的增加能促进T_EM和Ig-class-switched记忆B细胞的活化。抑制Kv1.3通道能够显著减弱钙离子内流，减少胞内钙离子浓度的增加，从而抑制T_EM或Ig-class-switched记忆B细胞的活化。在体动物实验已证实，抑制Kv1.3通道能够明显缓解自身免疫性疾病的病理进程。研究表明Kv1.3成为自身免疫性疾病治疗新的靶点，前景令人瞩目。因此，寻求一种有效的、选择性的Kv1.3阻断剂将受到更多的关注。

目前所筛选出的选择性Kv1.3通道阻滞剂主要是小分子化合物或从海葵和蝎子毒液中提纯的毒肽类物质。然而研究发现，相当多的一部分小分子化合物及其衍生物和毒肽类物质在阻滞Kv1.3通道的同时亦能阻滞神经系统和心脏中的电压门控钠、钙等离子通道。由于电压门控钾通道具有较高的结构同源性，使得不同的电压门控钾通道具有高度一致的药物结合位点。研究发现，Kv1.3通道与心脏复极HERG和KCNQ1/KCNE1钾通道阻滞剂结合位点高度保守，因而使得现有的一些Kv1.3通道阻滞剂，在阻滞Kv1.3通道的同时，亦对HERG和KCNQ1/KCNE1通道产生阻滞作用，常常会导致药源性的心律失常的发生，阻碍了一些Kv1.3通道阻滞剂进一步开发成为临床药物。因此，美国食品和药品管理局要求新上市的药物应评估其对心脏复极电流的影响。

抗体与抗原的结合具有亲和力高，特异性强的特点，理论上开发出针对hKv1.3、具有阻滞效应的抗体可以作为hKv1.3通道特异性的阻滞剂。本研究以hKv1.3通道胞外环的一段肽段为免疫原性肽段，通过免疫学的方法制备针对该肽段的特异性抗体，观察其对亲本蛋白hKv1.3通道以及心脏电压门控钠、钙通道以及复极钾通道的影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种人源性电压门控钾通道hKv1.3免疫原性肽段，基于该肽段制备的抗体-抗hKv1.3胞外环肽段E314抗体，可以作为hKv1.3通道新的、特异性抑制剂。

实现本发明的具体技术方案：