[发明专利]基于一维软模板纳米压印制作三维纳米网格结构的方法

权利要求书

1.一种基于一维软模板纳米压印技术制作三维纳米网格结构的方法，其特征包括以下步骤：

(1)第一次纳米压印工艺：在基底上旋涂压印胶，利用一维软模板进行纳米压印，得出一维纳米光栅结构的压印胶图形，然后采用氧反应离子刻蚀技术去除压印残胶层；对于氧反应离子刻蚀技术，通过控制刻蚀参数得到不同线宽的压印胶图形；

(2)第一次刻蚀工艺：以步骤(1)中去除残胶层的压印胶图形为掩膜刻蚀基底材料，刻蚀工艺为湿法刻蚀或者干法刻蚀工艺；去除残留压印胶掩模后得到基底材料的一维纳米光栅结构；

(3)第二次纳米压印：利用与步骤(1)相同的工艺参数得到去除残胶层的一维纳米光栅结构压印胶图形，但软模板上的光栅线条方向和压印基底材料的一维纳米光栅结构上的光栅呈0°-90°间的任意角度；

(4)第二次干法刻蚀：以去除残胶层的压印胶图形为刻蚀掩模，利用与步骤(2)相同的刻蚀工艺步骤得到具有亚25纳米尺寸纳米点的三维纳米网格结构。

2.根据权利要求1中所述的基于一维软模板纳米压印技术制作三维纳米网格结构的方法，其特征在于，所述步骤(1)和(3)中的压印胶为热固化压印胶、光固化压印胶或者热塑性光固化压印胶。

3.根据权利要求1中所述的基于一维软模板纳米压印技术制作三维纳米网格结构的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的基底材料是硅、二氧化硅或铝。

4.根据权利要求1中所述的基于一维软模板纳米压印技术制作三维纳米网格结构的方法，其特征在于，步骤(1)中的软模板是PDMS、ETFE材料制作的软模板。