[发明专利]陶瓷工件及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷工件，其特征在于，其包含：

一陶瓷基材；以及

一嫁接层，其设置于所述陶瓷基材的一面上，且所述嫁接层为碳化金属M_xC_y、氧化金属M_xO_y或氮化金属M_xN_y。

2.如权利要求1所述的陶瓷工件，其特征在于，所述嫁接层还包含：

一第一嫁接子层M_aC_b，是设于所述陶瓷基材的所述面上；以及

一第二嫁接子层M_cC_d，是设于所述第一嫁接子层上；

其中，a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

3.如权利要求1所述的陶瓷工件，其特征在于，所述嫁接层还包含：

一第一嫁接子层M_aO_b，是设于所述陶瓷基材的所述面上；以及

一第二嫁接子层M_cO_d，是设于所述第一嫁接子层上；

其中，a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

4.如权利要求1所述陶瓷工件，其特征在于，所述嫁接层还包含：

一第一嫁接子层M_aN_b，是设于所述陶瓷基材的所述面上；以及

一第二嫁接子层M_cN_d，是设于所述第一嫁接子层上；

其中，a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

5.如权利要求1所述的陶瓷工件，其特征在于，所述嫁接层还包含：

一第一嫁接子层，是设于所述陶瓷基材的所述面上；以及

一第二嫁接子层，是设于所述第一嫁接子层上；

其中，所述第一嫁接子层的厚度小于所述第二嫁接子层的厚度。

6.如权利要求1所述的陶瓷工件，其特征在于，所述嫁接层还包含：

一第一嫁接子层，是设于所述陶瓷基材的所述面上；以及

一第二嫁接子层，是设于所述第一嫁接子层上；

其中，所述第一嫁接子层的厚度大于所述第二嫁接子层的厚度。

7.如权利要求1所述的陶瓷工件，其特征在于，所述嫁接层的厚度是介于1～500纳米。

8.如权利要求1所述的陶瓷工件，其特征在于，其还包含一金属层，所述金属层是设置于所述嫁接层之上。

9.一种陶瓷工件的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一陶瓷基材；

以电浆轰击所述陶瓷基材的一面；以及

以真空镀膜法进行反应性镀膜在所述陶瓷基材的所述面上镀制一嫁接层，所述嫁接层为碳化金属M_xC_y、氧化金属M_xO_y或氮化金属M_xN_y。

10.如权利要求9所述的陶瓷工件的制造方法，其特征在于，镀制所述嫁接层还包含下列步骤：

在所述陶瓷基材的所述面上镀制一第一嫁接子层M_aC_b；以及

在所述第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层M_cC_d；

其中，a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

11.如权利要求9所述的陶瓷工件的制造方法，其特征在于，镀制所述嫁接层还包含下列步骤：

在所述陶瓷基材的所述面上镀制一第一嫁接子层M_aO_b；以及

在所述第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层M_cO_d；

其中，a+b＝1，c+d＝1且a＜c。

12.如权利要求9所述的陶瓷工件的制造方法，其特征在于，镀制所述嫁接层还包含下列步骤：

在所述陶瓷基材的所述面上镀制一第一嫁接子层M_aN_b；以及

在所述第一嫁接子层上镀制一第二嫁接子层M_cN_d；

其中，a+b＝1，c+d＝1且a＜c。