[发明专利]解码器及使用该解码器的显示装置的数据驱动器有效

专利信息
申请号: 201110043131.4 申请日: 2011-02-21
公开(公告)号: CN102163400A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 土弘;土井延恭 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 谢丽娜;关兆辉
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 解码器 使用 显示装置 数据 驱动器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种输入多个电压信号并根据数字信号进行选择输出的解码器及使用该解码器的显示装置的数据驱动器。

背景技术

图19是用于说明根据影像数据信号从多个参照电压中选择一个电压(灰度电压)并提供到显示面板的显示元件的数据驱动器的解码电路的典型构成的一例的图。此外在图19中,为易于说明,示例了如下构成:影像数据信号是3位的数字信号(High表示高位侧电源VDD,Low表示低位侧电源VSS),通过3位数据及其互补信号D1、D1B、D2、D2B、D3、D3B,以竞赛方式从8个参照电压V1~V8中选择一个并输出。即,具有14个pMOS晶体管(传输晶体管),其栅极接收D1、D1B、D2、D2B、D3、D3B并进行导通、截止控制,作为导通时输出选择电压的开关(传输门)发挥作用。8个参照电压V1~V8相对于高位侧电源VDD和低位侧电源VSS(例如GND(接地)电位),具有VDD≥V1>V2>V3>…>V8≥VSS的大小关系。

在图19的构成中,LSB(Least Significant Bit:最低有效位)的D1为Low(D1的互补信号D1B为High)时,栅极接收D1的p沟道晶体管902、904、906、908导通,栅极接收D1B的p沟道晶体管901、903、905、907截止,参照电压V2、V4、V6、V8分别传送到p沟道晶体管909、910、911、912的一端(例如源极)。另一方面,当D1B为Low(D1=High)时,p沟道晶体管901、903、905、907导通,p沟道晶体管902、904、906、908截止,参照电压V1、V3、V5、V5分别传送到p沟道晶体管909、910、911、912的一端(例如源极)。

D2为Low(D2的互补信号D2B为High)时,栅极接收D2的p沟道晶体管910、912导通,栅极接收D2B的p沟道晶体管909、911截止,通过了p沟道晶体管903或904的电压V3或V4中的一个、和通过了p沟道晶体管907或908的电压V7或V8中的一个分别传送到p沟道晶体管913和914的一端(例如源极)。另一方面,D2B是Low(D2=High)时,p沟道晶体管909、911导通,p沟道晶体管910、912截止,通过了p沟道晶体管901或902的电压V1或V2中的一个、和通过了p沟道晶体管905或906的电压V5或V6中的一个,分别传送到p沟道晶体管913和914的一端(例如源极)。

D3为Low(D3B=High)时,栅极接收D3的p沟道晶体管914导通,栅极接收D3B的p沟道晶体管913截止,通过了p沟道晶体管911或912的电压(V5~V8的任意一个)传送到端子5。另一方面,D3B为Low(D3=High)时,p沟道晶体管913导通,p沟道晶体管914截止,通过了p沟道晶体管909或910的电压(V1~V4的任意一个)传送到端子5。

向pMOS晶体管901~914的背栅提供高位侧电源电压VDD。将MOS晶体管导通时、即在栅极氧化膜正下方的基板表面形成载流子的沟道(形成反转层)时的栅极-源极间电压称为阈值电压,在pMOS晶体管中,因栅极-源极间电压为负值,所以以下对于pMOS晶体管的阈值电压Vtp(<0)的大小关系等,以绝对值|Vtp|来处理。

在此简述基板偏压效应。如在标准的测试手册等所公知的,MOS晶体管的阈值电压相对于基板电压VBS,以下式(1)表示。

Vth=Vth0+ΔVth                  (1)

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