[发明专利]PTC热敏电阻及其应用的基材及其制造方法

权利要求书

1.一种PTC热敏电阻，其包括一基材、复合于该基材两面的两个金属箔状电极，该基材由以下重量百分比的组分组成：

高分子材料    ：28~55%；导电填料： 22~32%；辅助填料     ：  13~46%；

加工助剂   ：  1~5%；

所述的高分子材料为以下一种或者多种物质混合组成：聚乙烯、聚丙烯、马来酸酐接枝的聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚偏氟乙烯、聚己内酰胺，聚己二酸己二胺、聚癸二酸癸二胺、聚十一酰胺；

所述的导电填料为以下一种或者多种物质混合组成：碳黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、银粉或银粉的氧化物；

所述的辅助填料为以下一种或者多种物质混合组成：氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌、二氧化硅、蒙脱土、碳酸钙、碳酸镁、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、三氧化二锑、滑石粉、高岭土、陶土；

所述的加工助剂为抗氧剂、偶联剂、交联剂和敏化交联剂中的一种或者多种的混合物；所述抗氧剂是胺类抗氧剂、酚类抗氧剂、酯类抗氧剂三者其中一种或者多种的混合物；所述偶联剂为钛酸酯或硅烷类的混合物；所述交联剂为有机过氧化物、偶氮化合物、联苄交联剂；所述敏化交联剂为分解温度较高的多官能团的不饱和化合物其中的一种或几种的混合物。

2.根据权利要求1所述的PTC热敏电阻，其特征在于：所述敏化交联剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，三烯丙基异氰酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯。

3.一种制造如权利要求1所述的PTC热敏电阻的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：先将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时后，按计量将导电填料、辅助填料和偶联剂在高速搅拌机上混合均匀待用；

步骤2：按计量将高分子材料、预混好的导电填料和辅助填料混合物、抗氧化剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼，破碎后在室温下混合均匀后通过双螺杆挤出机进行二次混合后挤出成型；

步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源进行辐射交联，辐照剂量为70~180KGY；

步骤4：步骤3中经热处理后的所述芯片，在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品；或者在所述芯片上、下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。

4.一种制造如权利要求1所述的PTC热敏电阻的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将导电填料和辅助填料在70~180℃下进行预热处理2~24小时待用；

步骤2：将一种高分子材料、辅助填料、抗氧化剂预先混合制成母料，与另一种高分子材料在室温下混合均匀后，和导电填料、偶联剂、交联剂、敏化交联剂在超过高分子材料熔点以上30~60℃的温度下进行混炼后经单螺杆挤出机挤出成型或热压成型；

步骤3：通过热压的方式把金属电极复合到片材的上下两个表面上，并进行热处理，在冲床上冲成芯片并经γ射线、电子加速器或钴源（Co⁶⁰）进行辐射交联，辐照剂量为70~200KGY；

步骤4：步骤3中经热处理后的所述芯片，在其表面焊接上引线电极和在其外表面包封上绝缘层，得到高分子热敏电阻元件成品；或者在所述芯片上下两个表面通过回流焊焊上金属片状电极，制作成表面贴装式。