[发明专利]光电转换装置的制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置的制造方法，该光电转换装置包括：

半导体基板；

光电转换元件和MOS晶体管，其布置在半导体基板中；和

多层配线结构，包括具有多个配线的多个配线层的叠层和使配线层彼此隔离的层间绝缘膜，其中，所述制造方法包括如下步骤：

形成MOS晶体管的栅极和多个有源区；

在半导体基板上形成第一层间绝缘膜；

在第一层间绝缘膜中形成第一孔；

在第一孔中形成金属膜，以形成第一插头，所述第一插头用于在多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间或者有源区和MOS晶体管的栅极之间进行相互连接；

在第一层间绝缘膜中形成第二孔；

在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，所述第二插头用于电连接至多个有源区中的任何一个有源区；

形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；以及

根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成双镶嵌结构的步骤包括：

形成用于配线层的多个配线的凹槽的步骤，

在与第二插头的上部对应的区域中形成第三孔的步骤，以及

在凹槽和第三孔中形成金属膜。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，

第二插头的上表面的面积比第三孔的下表面的面积大。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，

在凹槽和第三孔中形成的金属膜由铜形成。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，

用于形成第一插头和第二插头的膜包含钨。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

在形成双镶嵌结构的步骤之后，单次或多次执行双镶嵌工艺。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

根据双镶嵌工艺形成铜配线。

8.根据权利要求7所述的制造方法，还包括：

在铜配线上形成扩散防止膜的步骤，以及

在扩散防止膜中形成与光电转换元件的上部对应的开口的步骤。

9.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：

在形成第一插头的步骤之前在第一孔中形成阻挡层金属的步骤，以及

在形成第二插头的步骤之前在第二孔中形成阻挡层金属的步骤。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，

所述阻挡层金属包括钛。

11.根据权利要求2所述的制造方法，还包括：

当在凹槽和第三孔中形成金属膜的步骤之前在凹槽和第三孔中形成阻挡层金属的步骤。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述光电转换装置包括：

传送MOS晶体管，用于传送在光电转换元件中产生的电荷，

作为有源区的浮动扩散区，由传送MOS晶体管将电荷传送到所述浮动扩散区，和

放大MOS晶体管，用于输出基于浮动扩散区的电位的信号，以及

第一插头电连接浮动扩散区和放大MOS晶体管的栅极。