[发明专利]金属支架式LED芯片封装工艺

权利要求书

1.金属支架式LED芯片封装工艺，其特征是，依次包括如下工艺步骤：

第一，对金属支架（8）进行防氧化处理；

第二，对所述金属支架进行绝缘处理，以在该金属支架上形成绝缘层（7）；

第三，在所述绝缘层的表面上布置导电介质（6），将该导电介质在所述金属支架（8）的非功能区刻蚀成需要形状的非功能区导电电路，并在所述金属支架的功能区刻蚀成具有所需接触面积和粗糙度的功能区导电电路；

第四，对所述金属支架的功能区的绝缘层（7）进行表面粗糙化处理；

第五，对应于所述金属支架的非功能区进行油墨覆盖处理以形成油墨层（5），使得该油墨层整体厚度比所述导电介质（6）高0.05mm以上；

第六，对应于所述金属支架（8）的功能区对所述绝缘层（7）和金属支架（8）进行碗杯挖割处理以形成支架碗杯，并使得该支架碗杯的侧围面具有需要的倾斜角度，该支架碗杯的底部水平；

第七，对所述支架碗杯以及所述导电介质（6）的未覆盖所述油墨层（5）的部分进行反光层制作；

第八，在对应于所述支架碗杯的位置将LED芯片（4）通过固晶或共晶材料与所述金属支架（8）粘合；

第九，通过金线（3）将所述LED芯片与所述导电介质（6）的功能区导电电路连通；

第十，将荧光粉层（2）覆盖在所述LED芯片表面上并进行固化或固定处理，以得到所需的LED光色；

第十一，通过模具将二次配光透镜（1）一次成型在所述金属支架表面，并使得该二次配光透镜罩盖所述LED芯片（4）。

2.金属支架式LED芯片封装工艺，其特征是，依次包括如下工艺步骤：

第一，对金属支架（8）进行防氧化处理；

第二，对所述金属支架（8）进行绝缘处理，以在该金属支架上形成绝缘层（7）；

第三，在所述绝缘层的表面上布置导电介质（6），将该导电介质在所述金属支架（8）的非功能区刻蚀成需要形状的非功能区导电电路，并在所述金属支架的功能区刻蚀成具有所需接触面积和粗糙度的功能区导电电路；

第四，对所述金属支架的功能区的绝缘层（7）进行表面粗糙化处理，并使得该金属支架的待与LED芯片（4）粘合的固晶区裸露金属；

第五，对应于所述金属支架（8）的非功能区进行油墨覆盖处理以形成油墨层（5），并在所述金属支架的功能区对所述金属支架固晶区的裸露金属进行碗杯挖割处理，以形成支架碗杯，并使得该支架碗杯的侧围面具有需要的倾斜角度，该支架碗杯的底部水平；

第六，对所述支架碗杯以及所述导电介质（6）的未覆盖所述油墨层（5）的部分进行反光层制作；

第七，在对应于所述支架碗杯的位置将所述LED芯片（4）通过固晶或共晶材料与所述金属支架（8）粘合；

第八，通过金线（3）将所述LED芯片（4）与所述导电介质（6）的功能区导电电路连通；

第九，将荧光粉层（2）覆盖在所述LED芯片表面上并进行固化或固定处理，以得到所需的LED光色；

第十，通过模具将二次配光透镜（1）一次成型在所述金属支架表面，并使得该二次配光透镜罩盖所述LED芯片（4）。