[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
申请号: | 201110042254.6 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102163673A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 裵贞赫;郑泳奎;朴径旭;朴德炫 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件,包括:
支撑构件;
在所述支撑构件上的发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;
在所述支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件;
电极,所述电极包括在所述第一导电类型半导体层上的上部、从所述上部延伸且在所述发光结构的侧表面上的侧部、以及从所述侧部延伸且在所述保护构件上的延伸部;以及
在所述发光结构的侧表面和所述电极之间的绝缘层。
2.根据权利要求1所述的发光器件,进一步包括在所述延伸部的至少一部分上的结合金属层。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述电极包括具有导电性且与所述第一导电类型半导体层形成欧姆接触的金属。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述上部包括图案。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述上部具有开口。
6.根据权利要求4所述的发光器件,进一步包括在所述延伸部的至少一部分上的结合金属层,
其中所述上部和所述结合金属层通过线部分连接到所述结合金属层。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述结合金属层和所述线部分一体地形成。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述电极形成在所述发光结构的整个区域和所述保护构件上。
9.一种发光器件封装,包括:
发光器件,包括:
发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;
在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件;
电极,所述电极包括在所述第一导电类型半导体层上的上部、从所述上部延伸且在所述发光结构的侧表面上的侧部、以及从所述侧部延伸且在所述保护构件上的延伸部;以及
绝缘层,所述绝缘层在所述发光结构的侧表面和所述电极之间,
封装主体,所述封装主体设置有所述发光器件;
在所述封装主体上的引线电极,所述引线电极电气地连接到所述发光器件;以及
插座,所述插座电气地连接到所述发光器件的电极和所述引线电极。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装,其中所述发光器件进一步包括在所述发光结构下面的导电支撑构件,并且
其中所述发光器件封装进一步包括贯通电极,所述贯通电极电气地穿透所述封装主体以连接到所述导电支撑构件。
11.根据权利要求9所述的发光器件封装,其中所述插座包括:开口,所述开口用于插入所述发光结构。
12.根据权利要求10所述的发光器件封装,其中所述插座包括:插座电极,所述插座电极电气地连接到所述发光器件的延伸部;和绝缘主体,所述绝缘主体使所述插座电极和所述导电支撑构件绝缘。
13.根据权利要求12所述的发光器件封装,进一步包括在所述延伸部的至少一部分上的结合金属层。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装,其中所述插座电极包括凹部,所述凹部具有与所述结合金属层相对应的形状。
15.根据权利要求9所述的发光器件封装,其中所述插座包围所述侧部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110042254.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。