[发明专利]金属带轧制装置及轧制方法

说明书

技术领域

本发明涉及靶材制造领域，具体的，本发明涉及金属带的轧制装置及方法。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition；PVD)是半导体芯片和TFT-LCD生产过程中最关键的工艺之一，PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产及TFT-LCD制备加工过程中最重要的原材料之一，其中，用作溅射靶材的金属料件需要经过一定的塑性变形加工工艺，才能实现金属料件的组织结构控制，从而制作出符合塑性变形工艺要求的金属溅射靶材。

塑性变形工艺有多种，常见的有自由锻、模锻、板料冲压、挤压、拉拔、轧制等。传统的靶材加工是将多种塑性变形工艺进行结合，所述塑性变形加工工艺包括切断、自由锻、冲压、轧制等多道工序，其中，轧制广泛应用于金属材料的塑形变形加工，特别是金属带的加工。参照图1，现有工艺中金属带的轧制主要通过图1中的装置轧制而成，其中轧辊101和102上下相对设置、且旋转方向相反，金属带105通过送料平台103送入轧制装置中的轧辊101和102之间，经过轧辊101和102的多次轧制，制成固定尺寸的金属带。

然而，当利用图1中装置轧制长度较长(大于3米)、宽度较小(小于100mm)、厚度较薄(10mm以下)的金属带时，所制造的金属带易在水平方向产生S弯或拱形弯，厚度较薄的产品产生这两种变形时，很难校正，从而造成轧制后的产品在弯曲度较大的地方无法加工到要求尺寸，降低了成材率，浪费资源，增加成本。

现有工艺主要通过铟焊料焊接的方法制造长度较长、宽度和厚度较小的金属带，但是由于铟的价格昂贵、使用量大，导致所制造的金属带成本高。因此，需要提供一种轧制长度较长、宽度和厚度较小的金属带的装置和方法，以减少轧制金属带时因成材率不高导致的资源浪费。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术轧制长度较、宽度和厚度较小的金属带时，所得到的金属带在水平方向易产生变形，导致轧制所形成的金属带成材率不高、资源浪费。

为解决上述问题，本发明提供了一种金属带轧制装置，包括：对称设置的上下两个轧辊，上轧辊和下轧辊之间形成有缝隙；送料平台，与所述上下轧辊之间缝隙相对，所述送料平台上表面与下轧辊的最高位置处于同一平面，用以运送所要轧制的金属料件至所述上下两个轧辊之间，所述送料平台上表面设置有两侧边平直的垫块，所述垫块的延伸方向与轧辊辊轴方向不平行。可选的，所述垫块的材质为钢。

可选的，所述垫块的长度范围为300至500毫米。

可选的，所述垫块的厚度范围为100至200毫米。

可选的，所述垫块距轧辊进料面的最小距离为10至100毫米。

可选的，所述垫块的延伸方向与轧辊辊轴方向的夹角为90°。

可选的，所述垫块的个数为一个或两个，当所述垫块的个数为两个时，两个垫块相互平行。

相应的，本发明还提供了一种与以上金属带轧制装置对应的金属带轧制方法，包括：提供金属料件；将金属料件紧贴金属带轧制装置中垫块的侧边送入上下两个轧辊之间进行多道次的轧制工艺，制成金属带。

可选的，所述轧制工艺为冷轧。

可选的，所述每一道次的轧制工艺具体包括：调节上下两个轧辊间的辊距，所述辊距为单次轧制目标量；将金属料件紧贴送料平台上垫块的侧边送入上下两个轧辊之间；通过上下两个轧辊的转动，将所述金属料件进行轧制，送出符合所述轧制目标量的金属料件或金属带。

可选的，所述每一道次轧制工艺中的单次轧制目标量相同或不同，金属料件的总轧制目标量为所述多道次轧制工艺中各道次轧制工艺的单次轧制目标量之和。

可选的，当所述每一道次轧制工艺中的单次轧制目标量不同时，多道次轧制工艺中的各单次轧制目标量依次递减。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明通过在现有金属带轧制装置的送料平台上设置两侧边平直的垫块，并使金属料件紧贴垫块侧边送入金属带轧制装置的上下两个轧辊之间，使金属料件的延伸方向与轧辊进料面的夹角在整个轧制过程中保持一致，进而改善所生产金属带的直线度，减少金属带水平方向上的变形，提高金属带的成材率、降低浪费。

附图说明

图1为现有工艺中金属带轧制装置的示意图；

图2为本发明一个实施例金属带轧制装置的示意图；

图3为本发明金属带轧制方法的流程示意图；

图4为图3中每道次的轧制工艺的流程示意图；

图5为本发明另一个实施例金属带轧制装置的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。