[发明专利]固态图像拾取装置和用于制造固态图像拾取装置的方法有效
| 申请号: | 201110039890.3 | 申请日: | 2011-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN102163611A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
| 发明(设计)人: | 高田英明;小泉徹;山崎康生;领木达也 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨国权 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 用于 制造 方法 | ||
1.一种用于制造固态图像拾取装置的方法,所述固态图像拾取装置包括:
多个像素,包括:
用于生成信号载流子的光电转换单元,和
至少一个像素晶体管,用于读取基于在所述光电转换单元中生成的所述信号载流子的信号,
配备有第一光电转换单元的第一有源区,
配备有第二光电转换单元的第二有源区,以及
第三有源区,所述第三有源区与第一有源区和第二有源区邻接并且配备有所述像素晶体管,其中场区位于第三有源区与第一有源区以及第二有源区之间,
所述方法包括以下步骤:
离子注入第一导电类型杂质离子,以便在第三有源区中的预定深度处形成用作针对所述信号载流子的势垒的半导体区域,以及
利用比第一导电类型杂质离子的离子注入的注入能量低的能量来将第二导电类型杂质离子离子注入到第三有源区中的用作所述像素晶体管的沟道部分的区域中。
2.根据权利要求1所述的用于制造固态图像拾取装置的方法,其中使用相同的掩模来执行第一导电类型杂质离子的离子注入和第二导电类型杂质离子的离子注入。
3.根据权利要求1所述的用于制造固态图像拾取装置的方法,其中在第一导电类型杂质离子的离子注入中使用的掩模从所述场区延伸到第三有源区的场区侧的端部。
4.根据权利要求1所述的用于制造固态图像拾取装置的方法,其中满足H/W≥0.28,其中在第一导电类型杂质离子的离子注入中使用的掩模的厚度被设为H,所述掩模的与第三有源区相对应的开口部分的最小宽度被设为W。
5.根据权利要求1所述的用于制造固态图像拾取装置的方法,其中连接第一有源区的中心和第二有源区的中心的方向是与布置在第三有源区中的所述像素晶体管的沟道宽度方向平行的方向。
6.一种固态图像拾取装置,包括:
多个像素,包括
用于生成信号载流子的光电转换单元,和
至少一个像素晶体管,用于读取基于在所述光电转换单元中生成的所述信号载流子的信号;
配备有第一光电转换单元的第一有源区;
配备有第二光电转换单元的第二有源区;以及
第三有源区,所述第三有源区与第一有源区和第二有源区邻接并且配备有所述像素晶体管,其中场区位于第三有源区与第一有源区以及第二有源区之间,
其中用作针对所述信号载流子的势垒的第一导电类型的第一半导体区域被布置在第三有源区中的预定深度处,并且
第二导电类型杂质离子被布置在比第一半导体区域的位置浅且在布置在第三有源区中的所述像素晶体管的沟道部分中的位置处。
7.根据权利要求6所述的固态图像拾取装置,其中第一半导体区域中的杂质浓度峰值位置距第三有源区的绝缘膜界面的距离D满足D≥1μm。
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