[发明专利]金属复合基板及其制造方法无效
申请号: | 201110039499.3 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102194977A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 泽田宏和;上杉彰男;畠中优介 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60;H01L31/04;H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 复合 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属复合基板,是在由300℃以上的耐热强度比铝高的金属形成的芯材的整个表面具有由铝或铝合金形成的被覆层,并且在该被覆层的至少一个表面具有铝板或铝合金板的金属复合基板,其中,所述金属复合基板的铝板或铝合金板的至少一个表面具有阳极氧化被膜。
2.如权利要求1所述的金属复合基板,其中所述芯材为钢。
3.如权利要求1所述的金属复合基板,其中所述阳极氧化被膜设置在所述金属复合基板的整个表面。
4.如权利要求1所述的金属复合基板,其中所述阳极氧化被膜是厚度1~200μm的多孔阳极氧化被膜。
5.如权利要求1所述的金属复合基板,其中对所述阳极氧化被膜进行封孔处理。
6.一种绝缘性金属基板,其包含权利要求1所述的金属复合基板。
7.一种绝缘性光反射基板,是权利要求1所述的金属复合基板的阳极氧化被膜具有光反射面的绝缘性光反射基板,其特征在于,该光反射面的对波长大于320nm且为700nm以下的光的全反射率为50%以上,并且对波长为300nm~320nm的光的全反射率为60%以上。
8.如权利要求7所述的绝缘性光反射基板,其中所述光反射面具有平均波长0.01~100μm的凹凸。
9.一种白色系发光二极管装置,其在权利要求7所述的光反射基板的光反射面的上部具有蓝色发光元件,在其周围和/或上部具有荧光发光体。
10.一种半导体用基板,其包含权利要求1所述的金属复合基板。
11.一种薄膜系太阳能电池,其在权利要求1所述的金属复合基板上形成了光吸收层和电极层。
12.如权利要求11所述的薄膜系太阳能电池,其中在所述金属复合基板上隔着背面电极层形成光吸收层,该光吸收层含有CdS/CdTe、CIS、和CIGS中的任一种化合物。
13.一种金属复合基板的制造方法,其中对于由300℃以上的耐热强度比铝高的金属形成的芯材,用铝或铝合金被覆其整个表面,在得到的铝或铝合金层的至少一个表面贴合铝板或铝合金板,对得到的铝板或铝合金板的至少一个表面进行阳极氧化处理、水洗处理、干燥处理。
14.如权利要求13所述的金属复合基板的制造方法,其中所述被覆是熔融镀敷。
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