[发明专利]应用于卫星降频变换器的接收器及放大器有效

专利信息
申请号: 201110039302.6 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102594375A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 徐光宇;马健嘉 申请(专利权)人: 笙科电子股份有限公司
主分类号: H04B1/06 分类号: H04B1/06;H04B7/185;H03F3/21
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人: 刘云贵
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 应用于 卫星 变换器 接收器 放大器
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种应用于卫星降频变换器的接收器及射频金属氧化物半导体晶体管放大器,尤指一种可随使用波段转换共振频率的应用于卫星降频变换器的接收器及射频金属氧化物半导体晶体管放大器。

背景技术

在现有技术中,当卫星降频变换器接收卫星微波波段(C波段、X波段、Ku波段或Ka波段)的信号时,卫星降频变换器内的放大器的操作范围必须涵盖整个卫星微波波段,亦即放大器的操作范围必须相当大,导致卫星降频变换器的设计者很难设计适合的放大器。请参照图1A,图1A是为现有技术说明应用于卫星降频变换器的射频金属氧化物半导体晶体管放大器100的示意图。如图1A所示,射频金属氧化物半导体晶体管放大器100包括N型金属氧化物半导体晶体管102及电感104。电感104和射频金属氧化物半导体晶体管放大器100内的寄生电容决定射频金属氧化物半导体晶体管放大器100的固定共振频率ω。请参照图1B,图1B是为说明射频金属氧化物半导体晶体管放大器100的频率响应的示意图。如图1B所示,因为射频金属氧化物半导体晶体管放大器100的操作范围必须涵盖卫星微波波段且维持一定的增益平坦度(gain flatness),所以射频金属氧化物半导体晶体管放大器100具有较低的Q值、低电能效率以及较差的镜像抑制(image rejection),导致卫星降频变换器的设计者很难设计适合的射频金属氧化物半导体晶体管放大器100。

发明内容

本发明的一实施例提供一种应用于卫星降频变换器的接收器。该接收器包括射频金属氧化物半导体晶体管放大器、混频器及中频放大器。该射频金属氧化物半导体晶体管放大器是用以根据控制信号,接收并放大卫星微波波段的第一波段的信号及该卫星微波波段的第二波段的信号;该混频器是耦接于该射频金属氧化物半导体晶体管放大器,用以根据本地振荡器(localoscillator)的第一振荡频率,降低该第一波段的信号成为第一中频波段的信号,或根据该本地振荡器的第二振荡频率,降低该第二波段的信号成为第二中频波段的信号;及该中频放大器是耦接于该混频器,用以放大该第一中频波段的信号及该第二中频波段的信号,并输出放大后的该第一中频波段的信号及该第二中频波段的信号。

本发明的还一实施例提供一种应用于卫星降频变换器的接收器的射频金属氧化物半导体晶体管放大器。该射频金属氧化物半导体晶体管放大器包括匹配电路、N型金属氧化物半导体晶体管、第一电感、第一开关及第一电容。该匹配电路具有第一端,耦接于外部天线电路,第二端,及第三端,耦接于地端,其中该匹配电路是用以匹配该射频金属氧化物半导体晶体管放大器与该外部天线电路,以及接收卫星微波波段的第一波段的信号及该卫星微波波段的第二波段的信号;该N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端,第二端,耦接于该匹配电路,及第三端,耦接于该地端,用以放大该第一波段的信号及该第二波段的信号;该第一电感具有第一端,用以接收第一电压,及第二端,耦接于该N型金属氧化物半导体晶体管的第一端;该第一开关具有第一端,耦接于该第一电感的第二端,第二端,用以接收该控制信号,及第三端;及该第一电容具有第一端,耦接于该N型金属氧化物半导体晶体管的第一端,及第二端,耦接于该地端;其中该第一开关根据该控制信号开启时,该匹配电路根据该第一电感与该第一电容的共振频率,接收该第一波段的信号,以及该第一开关根据该控制信号关闭时,该匹配电路根据该第一电感与寄生电容的共振频率,接收该第二波段的信号。

本发明提供一种应用于卫星降频变换器的接收器及射频金属氧化物半导体晶体管放大器。该接收器及该射频金属氧化物半导体晶体管放大器是根据控制信号,调整该射频金属氧化物半导体晶体管放大器的电路共振频率为第一共振频率及第二共振频率。当该射频金属氧化物半导体晶体管放大器的电路共振频率为该第一共振频率时,该射频金属氧化物半导体晶体管放大器接收并放大卫星微波波段的第一波段的信号;当该射频金属氧化物半导体晶体管放大器的电路共振频率为该第二共振频率时,该射频金属氧化物半导体晶体管放大器接收并放大该卫星微波波段的第二波段的信号。如此,该应用于卫星降频变换器的接收器及该射频金属氧化物半导体晶体管放大器不需同时涵盖整个该卫星微波波段。因此,本发明具有较高的Q值、高电能效率、增益平坦度以及较佳的镜像抑制。

附图说明

图1A是为现有技术说明应用于卫星降频变换器的射频金属氧化物半导体晶体管放大器的示意图。

图1B是为说明射频金属氧化物半导体晶体管放大器的频率响应的示意图。

图2是为本发明的一实施例应用于卫星降频变换器的接收器的示意图。

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