[发明专利]能够减小焊盘与阻焊剂之间高度差的焊盘栅格阵列封装有效

专利信息
申请号: 201110038739.8 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102163579A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 李喜哲;郑命杞;廉根大 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/498
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 能够 减小 焊剂 之间 高度 栅格 阵列 封装
【权利要求书】:

1.一种焊盘栅格阵列封装,包括:

基板,包括形成在所述基板的第一表面上的多个焊盘;

半导体芯片,安装在所述基板的第二表面上;

连接部分,连接所述半导体芯片和所述基板;以及

支撑层,形成在第一焊盘的表面的一部分上。

2.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述支撑层包括阻焊剂。

3.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述支撑层的高度等于或小于形成在所述基板的所述第一表面上的阻焊剂的高度。

4.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述支撑层包括允许测试端子接触所述第一焊盘的敞开空间。

5.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述第一焊盘的被阻焊剂敞开的宽度约为0.7mm或更大。

6.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述半导体芯片具有约50μm至约150μm的厚度。

7.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述连接部分包括导线。

8.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,还包括密封所述基板的第二表面与所述半导体芯片的密封构件。

9.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述支撑层连接到形成在所述基板的所述第一表面上的阻焊剂。

10.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述支撑层不连接到形成在所述基板的所述第一表面上的阻焊剂。

11.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述支撑层包括多个分离的层。

12.根据权利要求1所述的焊盘栅格阵列封装,其中所述支撑层通过连接多个分离的层而形成。

13.一种半导体封装,包括:

基板,包括形成在所述基板的第一表面上的多个焊盘;

半导体芯片,安装在所述基板的第二表面上;

密封构件,密封所述基板的所述第二表面与所述半导体芯片;以及

支撑层,形成在第一焊盘的表面的一部分上。

14.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述支撑层包括阻焊剂。

15.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述支撑层的高度等于或小于形成在所述基板的所述第一表面上的阻焊剂的高度。

16.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述第一焊盘的被阻焊剂敞开的宽度约为0.7mm或更大。

17.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述半导体芯片具有约50μm至约150μm的厚度。

18.一种电子器件,包括:

印刷电路板,用于驱动所述电子器件;和

安装在所述印刷电路板上的焊盘栅格阵列封装,

其中所述焊盘栅格阵列封装包括:

基板,包括形成在所述基板的第一表面上的多个焊盘;

半导体芯片,安装在所述基板的第二表面上;

密封构件,密封所述基板的所述第二表面和所述半导体芯片;

连接部分,连接所述半导体芯片和所述基板;以及

支撑层,形成在第一焊盘的表面的一部分上。

19.根据权利要求18所述的电子器件,其中所述支撑层包括阻焊剂。

20.根据权利要求18所述的电子器件,其中所述支撑层的高度等于或小于形成在所述基板的所述第一表面上的阻焊剂的高度。

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