[发明专利]一种太阳电池发射极腐蚀方法无效
| 申请号: | 201110038476.0 | 申请日: | 2011-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN102634799A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
| 发明(设计)人: | 梁宗存;曾飞;沈辉 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
| 主分类号: | C23F1/24 | 分类号: | C23F1/24;H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人: | 陈振华 |
| 地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳电池 发射极 腐蚀 方法 | ||
1.一种太阳电池发射极腐蚀液,其特征在于,以氢氟酸和硝酸的混合水溶液作为基本腐蚀液,并至少添加入亚硝酸或者亚硝酸盐或者硫酸或者硫酸盐或者磷酸或者磷酸盐的一种或者以上的任意组合。
2.根据权利要求1所述的太阳电池发射极腐蚀液,其特征在于,所述的氢氟酸和硝酸的混合水溶液中,其饱和溶液体积为:HF∶HNO3∶H2O=1∶2~20∶10~50。
3.根据权利要求1所述的太阳电池发射极腐蚀液,其特征在于,所述的亚硝酸盐为亚硝酸钾或亚硝酸钠或亚硝酸钙或亚硝酸钡,硫酸盐为硫酸钠或硫酸钾或硫酸镁或硫酸锌或硫酸钙,磷酸盐为磷酸钠或磷酸钾。
4.根据权利要求1所述的太阳电池发射腐蚀液,其特征在于,至少添加亚硝酸或者亚硝酸盐或者硫酸或者硫酸盐或者磷酸或者磷酸盐的一种或者以上的任意组合,并且控制亚硝酸根的浓度在0~10mol/L,控制硫酸根的浓度在0~5mol/L,控制磷酸根的浓度0~5mol/L。
5.根据权利要求1所述的太阳电池发射腐蚀液,还包括在腐蚀液中添加表面活性剂。
6.权利要求1所述的太阳电池发射极腐蚀的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按比例配置好腐蚀液后进行充分的搅拌;
(2)腐蚀液的温度保持稳定,且控制在0~40℃的范围;
(3)将扩散后的硅片浸入腐蚀液中,或者将腐蚀液的液滴均匀地喷洒在硅片的发射极上,腐蚀50~300秒;
(4)停止对发射极的腐蚀后,对硅片用去离子水或者碱溶液进行清洗。
7.根据权利要求6所述的太阳电池发射极腐蚀方法,还包括对扩散后硅片经过清洗富磷玻璃层后再进行腐蚀。
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