[发明专利]一种电控辐射方向图可重构天线无效
申请号: | 201110037156.3 | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102157792A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 董小春;王义富;邓启凌;杜春雷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | H01Q3/34 | 分类号: | H01Q3/34 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 卢纪;成金玉 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐射 方向 图可重构 天线 | ||
1.一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于步骤如下:
(1)选择天线的工作频率f;
(2)确定人工结构材料整个单元结构尺寸,以及其组成单元的金属结构和基底材料,所述金属结构选择开口的“工”字型金属结构;所述基底材料参数包括介电常数r、磁导率;
(3)在“工”字型金属结构的中心开口处加上变容二极管,然后在传播方向叠放10层人工结构材料,利用电磁仿真软件计算单元的透过谱S21并提取S21的位相,连续改变变容二极管的电容值,记录对应透过谱位相,绘制位相-电容C曲线;
(4)沿三个相互垂直方向周期排列“工”字型人工材料即可得到天线模型,三个相互垂直方向为水平、竖直和前后,在竖直方向排布单元数为M,M>4,水平方向排布成N个区域N>10,每个区域包括单元数为P,P≥1;前后叠放的层数为10层,所有单元结构完全相同;
(5)根据步骤(3)仿真得到位相-电容C曲线,设定N个线性渐变的位相,位相差为和对应的电容,在N个区域在不同区域加载不同的反偏电压值,变容二极管的电容值与外加的反偏电压有关,不同的区域选择不同电压值则对应不同电容值,最终确保水平面N个区域出射面的位相线性渐变;
(6)制作上述天线,加载电容、导线外加电压源,将制作的天线放置产生类似平面波的天线口面上,通过控制不同区域的电压值,即可以重构天线方向图。
2.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(1)中所选择的天线工作频率在微波波段。
3.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(2)的人工结构材料在X、Y、Z三个方向的排布周期px,py,pz均在亚波长量级,小于天线波长的十分之一。
4.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(2)中金属为铝或者铜。
5.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(2)中的基底材料为具有非磁性的各种微波介质材料,其介电常数在2-10之间,磁导率为1。
6.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(3)提取透过谱S21的位相可以通过计算单元的散射参数中的S21得到,具体计算为:先建好人工结构材料单元仿真模型,设置周期边界条件。在入射波的前后两个方向设置port1和port2.通过有限元法计算,即得到散射参数,散射参数包括反射谱幅度和位相,透过谱的幅度和位相。
7.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(3)绘制位相-电容C曲线是在单元其它参数都不改变的前提下,通过仿真软件的参数扫描功能连续改变电容值,得到的一系列的位相。
8.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(4)天线模型为长方形块体材料,长方体长、宽、高分别为px*N*P、py*M、10*pz。
9.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(5)中的反偏电压是根据可变容易的电压V-电容特性和设定的线性渐变的N个位相确定的,具体的操作步骤为:确定位相;然后根据位相-电容C曲线,确定所需的电容值;再根据可变电容器的电压V-电容C曲线选择偏置电压。
10.根据权利要求1所述的一种电控辐射方向图可重构天线,其特征在于:所述步骤(5)中产生类似平面波天线包括喇叭天线或者波导缝隙天线,其口径应与人工材料口面一致,馈电口为标准的波导。
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