[发明专利]硅片台颗粒去除装置及其颗粒去除方法

权利要求书

1.一种硅片台颗粒去除装置，其特征在于，包括：

硅片台，用于承载硅片；

动态监控单元，用于动态采集并处理所述硅片的位置信息；

颗粒去除单元；以及

走位控制单元，用于控制颗粒去除单元自动走位；

其中，所述动态监控单元发送所述位置信息至所述走位控制单元。

2.如权利要求1所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，还包括用于控制所述硅片台自动走位的硅片台走位控制单元。

3.如权利要求1所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，还包括用于获取所述硅片的位置信息的位置传感器，所述位置传感器与所述动态监控单元通信连接。

4.如权利要求1所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，所述颗粒去除装置用于光刻机上，所述动态监控单元为光刻机的动态性能执行单元。

5.如权利要求4所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，所述位置信息包括所述硅片上表面的平均移动信息以及移动标准偏差信息。

6.如权利要求5所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，所述动态性能执行单元上设置预定值，以通过其与平均移动信息以及移动标准偏差信息的比较判断、得出所述硅片上发生块聚焦的位置。

7.如权利要求5所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，所述平均移动信息或所述移动标准偏差信息分别是指硅片的上表面在垂直于硅片台的方向上的平均移动信息或移动标准偏差信息。

8.如权利要求1所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，所述颗粒去除单元为真空吸气枪，所述走位控制单元为真空吸气枪走位控制单元。

9.如权利要求8所述的硅片台颗粒去除装置，其特征在于，所述真空吸气枪包括机械臂和气枪嘴。

10.一种去除硅片台上的颗粒的方法，其特征在于，采集并处理所述硅片台上所承载硅片的位置信息，走位控制单元依据该位置信息控制颗粒去除单元自动去除所述硅片台上的颗粒。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法用于硅片的曝光工艺过程中，具体包括以下步骤：

(1)动态采集所述硅片的位置信息；

(2)动态监控单元根据所述位置信息判断所述硅片上发生块聚焦的位置；

(3)所述块聚焦的位置信息被发送至颗粒去除单元的走位控制单元；以及

(4)所述颗粒去除单元的走位控制单元控制所述颗粒去除单元的走位，自动去除所述块聚焦的位置所对应的硅片台上的颗粒。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述动态监控单元为光刻机的动态性能执行单元。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述位置信息包括所述硅片上表面的平均移动信息以及移动标准偏差信息。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述动态性能执行单元上设置预定值，以通过其与平均移动信息以及移动标准偏差信息的比较判断、得出所述硅片上发生所述块聚焦的位置。

15.如权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述平均移动信息是指硅片的上表面在垂直于硅片台的方向上的平均移动信息，所述移动标准偏差信息是指硅片的上表面在垂直于硅片台的方向上的移动标准偏差信息。