[发明专利]利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法

权利要求书

1.利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于步骤如下：

(1)根据需要选择基片材料；

(2)在基片材料表面蒸镀一层金属膜层；

(3)在所述的金属膜层表面旋涂一层光刻胶，形成样片；

(4)根据所需要的金属纳米线条分布情况选择光刻掩模，并用紫外曝光机对光刻胶样品进行曝光；

(5)将曝光后的样片放入显影液内显影，使光刻胶图形化，同时在显影液的浸泡下，使光刻胶结构边缘与金属膜之间形成缝隙；

(6)将图形化的光刻胶结构放入高温烘箱进行烘焙，使所述的缝隙固定；

(7)将上述样片放入金属腐蚀液里腐蚀，即可在光刻胶与金属膜的缝隙处产生缝隙腐蚀，当缝隙内外金属无连接时，将样片从腐蚀液内取出并用去离子水冲洗干净；

(8)洗去样片上的光刻胶结构，即在金属上得到与缝隙边缘一致的20-80nm的金属纳米结构。

2.根据权利要求1所述的利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中，基底材料为玻璃、石英、硅或锗。

3.根据权利要求1所述的利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中，金属膜层的材料为金、银、铬、铝或铜，金属膜的厚度为10nm-200nm。

4.根据权利要求1所述的利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中，旋涂的光刻胶为正型光刻胶或负型光刻胶。

5.根据权利要求1所述的利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(4)中，光刻掩模为二元掩模或灰度掩模。

6.根据权利要求1所述的利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(5)中会自然形成宽度为10nm-1000nm的缝隙。

7.根据权利要求1所述的利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(6)中，高温烘箱中的烘焙温度为60℃-120℃。

8.根据权利要求1所述的利用缝隙腐蚀成形金属纳米结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)中光刻胶的厚度为20nm-50μm。