[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及

所述发光结构上的光提取图案，其中，周期(a)超过λ/n(其中，λ是从所述有源层发射的光的波长，以及n是所述发光结构的折射率)。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述周期(a)是处于5×(λ/n)＜a＜15×(λ/n)的范围内。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述光提取图案的蚀刻深度(h)等于或者大于λ/n。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，

所述光提取图案的蚀刻深度(h)等于或者大于λ/n。

5.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：

在所述发光结构上的未掺杂的半导体层，

其中，所述光提取图案被设置在所述未掺杂的半导体层上。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述光提取图案的周期(a)是处于1000nm至2800nm的范围内。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，

所述光提取图案的蚀刻深度(h)是处于450nm至900nm的范围内。

8.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；

第二电极层，所述第二电极层支撑所述发光结构；以及

所述第二电极层中的光提取图案，其中周期(a)超过λ/n(其中，λ是从所述有源层发射的光的波长，并且n是所述发光结构的折射率)，

其中，所述光提取图案被设置在第二电极层内，接触所述发光结构，并且没有被暴露到所述第二电极层的外部。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，

所述周期(a)是处于5×(λ/n)＜a＜15×(λ/n)的范围内。

10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，

所述光提取图案的蚀刻深度(h)等于或者大于λ/n。

11.根据权利要求8所述的发光器件，其中，

所述光提取图案的周期(a)是处于1000nm至2800nm的范围内。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，

所述光提取图案的蚀刻深度(h)是处于450nm至900nm的范围内。

13.根据权利要求8所述的发光器件，进一步包括：

在所述发光结构上的波长过滤器。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，

所述波长过滤器包括第一电介质层，所述第一电介质层具有第一折射率；以及第二电介质层，所述第二电介质层具有与所述第一折射率不同的第二折射率。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，

所述第一电介质层和所述第二电介质层中的每一个具有λ/(4n×cosθ)的厚度(这里，λ是光的波长，n是电介质层的折射率，以及θ是相对于衬底的光的入射角)。

16.根据权利要求14所述的发光器件，其中，

所述第二电介质层被堆叠在所述第一电介质层上，并且所述第一折射率小于所述第二折射率。

17.一种发光器件封装，包括：

根据权利要求1或8所述的发光器件，以及

封装体，在所述封装体中设置所述发光器件。

18.一种照明系统，包括：

板；以及

根据权利要求17所述的发光器件封装，所述发光器件被设置在所述板上。