[发明专利]发光设备和照明系统有效
申请号: | 201110036129.4 | 申请日: | 2011-02-09 |
公开(公告)号: | CN102169948A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 元晶敏 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 设备 照明 系统 | ||
本申请要求2010年2月8日提交的韩国专利申请No.10-2010-0011468的优先权,其通过引用整体合并在此。
技术领域
本发明涉及发光设备和照明系统。
背景技术
最近,发光二极管已经主要用作发光器件。
发光二极管包括N型半导体层、有源层、以及P型半导体层。当电力被施加到N和P型半导体层时,从有源层产生光。
发光器件电气地连接到电极,使得通过电路主体将电力施加给发光器件。发光器件可以通过布线电气地连接到电极,或者可以被安装在电极上从而发光器件可以直接电气地连接到电极。
发明内容
实施例提供具有新颖的结构的发光设备和照明系统。
实施例提供能够减少热阻的发光设备和照明系统。
根据实施例,发光设备包括:主体;主体上的具有突出图案的第一电极;主体上与第一电极电气地分离的第二电极;包括突出图案的第一电极上的粘附层;以及粘附层上的发光器件。
根据实施例,发光设备包括:主体;主体上的相互分离的第一电极和第二电极;第一电极上的突出图案;以及突出图案和第一电极上的发光器件。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光设备的截面图;
图2是示出根据实施例的发光设备中的发光器件的截面图;
图3是示出根据实施例的发光设备中的发光器件的截面图;
图4是示出根据第一实施例的发光设备中的第一电极和发光器件的结合区域的放大图;
图5是示出根据第二实施例的发光设备中的第一电极和和发光器件的结合区域的放大图;
图6是示出采用根据实施例的发光设备的背光单元的视图;
图7是示出采用根据实施例的发光设备的照明单元的透视图;
图8是示出根据另一实施例的发光设备的截面图;
图9是示出根据另一实施例的发光设备中的突出图案的形状的截面图;以及
图10和图11是示出根据另一实施例的发光设备中的突出图案和孔的截面图。
具体实施方式
在实施例的描述中,将理解的是,当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时,它能够“直接”或“间接”在另一基板、层(或膜)、区域、垫、或图案上,或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
为了方便或清楚起见,附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外,元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中,将会参考附图详细地描述根据实施例的发光设备和照明系统。
图1是示出根据实施例的发光设备200的截面图。
参考图1,发光设备200包括主体1;绝缘层2,该绝缘层2形成在主体1的表面上;第一和第二电极3和4,该第一和第二电极3和4形成在绝缘层2的表面上;以及发光器件5,该发光器件5电气地连接到安装在主体1的上部分处的第一和第二电极3和4。
另外,电气地连接到第一和第二电极3和4的衬底300(参见图6和图7)可以被额外地提供在主体1的下部分处。
主体1可以包括导电材料或者电绝缘材料。例如,主体1可以包括金属或者陶瓷材料。根据实施例,主体1包括硅材料作为示例。
主体1在其中被提供有空腔6。空腔6的底表面和横向表面形成在主体1的顶表面上。空腔6的横向表面可以倾斜。
绝缘层2可以包括绝缘材料,诸如SiO2、SiNx、以及Al2O3中的至少一个。绝缘层2可以形成在主体1的顶表面、横向表面、以及底表面上以防止通过主体1泄漏电流。例如,绝缘层2可以包括通过氧化主体1获得的氧化物膜。
根据实施例,如图8中所示,可以不形成绝缘层2,从而第一和第二电极3和4可以直接地形成在主体1上。
第一和第二电极3和4相互电气地分离,并且电气地连接到发光器件5。第一和第二电极3和4形成在主体1上,并且可以延伸到主体1的横向表面和底表面。另外,第一和第二电极3和4可以穿过主体1延伸到主体1的底表面。
发光器件5可以被安装在主体1的空腔6中。
例如,发光器件5可以被安装在绝缘层2上并且通过布线7电气地连接到第一和第二电极3和4。
另外,发光器件5可以直接地安装在第一电极3或者第二电极4上,使得发光器件5可以通过布线7电气地连接到第一电极3和第二电极4。
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