[发明专利]用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法及测试装置

权利要求书

1.一种用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于其包括以下步骤：

配置具有一第一宽度且与记忆体阵列的一第一导电构件相接而组成一接地导电构件的一活性区；

配置具有一第二宽度且与记忆体阵列的一第二导电构件相接而组成一绝缘导电构件的一绝缘结构；以及

提供绝缘结构以及活性区的一交替配置，使多个接地以及绝缘导电构件彼此相邻，以组成交替排列绝缘以及接地导电构件的一序列。

2.根据权利要求1所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于还包含以一电子束检测工具扫描交替排列的该序列。

3.根据权利要求2所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于还包含基于比较交替排列的该序列所组成的一测试模式与由该电子束检测工具得到的检测结果，确定在相邻导电构件中是否存在一管状缺陷，该测试模式包含针对每一连贯的导电构件交替不同的电压对比特征。

4.根据权利要求3所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于其中确定是否存在该管状缺陷包含侦测回应结果的该管状缺陷，该结果指出针对一组连贯的导电构件，电压对比特征没有改变。

5.根据权利要求2所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于还包含基于比较交替排列的该序列所组成的一测试模式与由该电子束检测工具得到的检测结果，确定在相邻导电构件中是否存在一管状缺陷，该测试模式包含交替显示对应于绝缘导电构件的亮色电压对比回应结果，以及显示对应于接地导电构件且由黑色环环绕的亮色电压对比回应结果的情况特征。

6.根据权利要求5所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于其中确定是否存在该管状缺陷包含侦测回应结果的该管状缺陷，该结果指出针对一组连贯的导电构件，电压对比特征没有改变。

7.根据权利要求1所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于其中所述的第一宽度与该第二宽度相等。

8.根据权利要求1所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于其中所述的第一宽度与该第二宽度不同。

9.根据权利要求1所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于其中所述的第一宽度小于该第二宽度。

10.一种用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的测试装置，其特征在于其包含：

一芯片，其包含该记忆体阵列；以及

一电子束检测工具，设置以检查该芯片，

其中该芯片是以如下所述建构：

具有一第一宽度且与记忆体阵列的一第一导电构件相接而组成一接地导电构件的一活性区；

具有一第二宽度且与记忆体阵列的一第二导电构件相接而组成一绝缘导电构件的一绝缘结构；以及

提供绝缘结构以及活性区的一交替配置，使多个接地以及绝缘导电构件彼此相邻，以组成交替排列绝缘以及接地导电构件的一序列。

11.根据权利要求10所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的测试装置，其特征在于该测试装置是设置以赋能作出的一确定，即基于比较交替排列的该序列所组成的一测试模式与由该电子束检测工具得到的检测结果，确定在相邻导电构件中是否存在一管状缺陷，该测试模式包含针对每一连贯的导电构件交替不同的电压对比特征。

12.根据权利要求11所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的测试装置，其特征在于该测试装置是设置以赋能作出的一确定，即藉由侦测回应结果的该管状缺陷来确定是否存在该管状缺陷，该结果指出针对一组连贯的导电构件，电压对比特征没有改变。

13.根据权利要求10所述的用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的测试装置，其特征在于该测试装置是设置以赋能作出的一确定，即基于比较交替排列的该序列所组成的测试模式与由该电子束检测工具得到的检测结果，确定在相邻导电构件中是否存在一管状缺陷，该测试模式包含交替显示对应于绝缘导电构件的亮色电压对比回应结果，以及显示对应于接地导电构件且由黑色环环绕的亮色电压对比回应结果的情况特征。