[发明专利]半导体激光器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种二极管，尤其涉及一种半导体激光器以及一种半导体激光器的制作方法。

背景技术

现有的半导体激光器一般为在基板上成长磊晶层，磊晶层包括一个P型半导体层、一个N型半导体层、以及设置在该P型半导体层与该N型半导体层之间的活性层。通常，该P型半导体层与该N型半导体层为六方晶系半导体材料，如氮化镓(GaN)。将该磊晶层切割成多个晶粒，从而形成多个半导体激光器。每个半导体激光器包括两个相互平行的侧面，以作为半导体激光器的共振腔面。然而，由于半导体激光器的半导体层为六方晶系半导体材料，在切割过程中，很难使该两个侧面垂直于PN结面且相互平行，从而影响半导体激光器的性能。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种谐振腔具有平整端面的半导体激光器。

一种半导体激光器，其包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间的活性层。该N型半导体层具有一个远离该活性层的第一表面。该P型半导体层具有一个远离该活性层的第二表面。该半导体激光器包括位于该第一表面与该第二表面之间的两个相对的侧面。该N型半导体层与该P型半导体层均为六方晶系半导体层。该半导体激光器的两个侧面上形成有两个四方晶系半导体层。每一四方晶系半导体层具有远离与之对应的侧面的一个外表面，该两个四方晶系半导体层的两个外表面相互平行，以构成该半导体激光器的谐振腔的两端面。

一种半导体激光器的制作方法，其包括：提供一个半导体结构，其包括N型六方晶系半导体层、活性层、以及P型六方晶系半导体层，该N型六方晶系半导体层具有一个远离该活性层的第一表面，P型六方晶系半导体层具有一个远离该活性层的第二表面，该半导体结构包括位于该第一表面与该第二表面之间的两个相对的侧面；在该半导体结构的两个侧面上分别成长四方晶系半导体层，每一个四方晶系半导体层具有远离与之对应的侧面的一个外表面，该两个四方晶系半导体层的两个外表面相互平行，以构成该半导体激光器的谐振腔的两端面。

相比六方晶系半导体，四方晶系半导体具有侧向成长特性，因此，通过控制成长条件，可以使两个四方晶系半导体层的两个外表面成长为平整面，从而作为半导体激光器谐振腔的两端面。

进一步地，由于四方晶系半导体层通过等离子体蚀刻抛光、劈裂等方法制作的劈裂面为镜面，其表面粗糙度一般小于20纳米。四方晶系半导体层劈裂面比六方晶系半导体层的劈裂面平整，适合作为半导体激光器的谐振腔的端面。因此，本发明利用两个四方晶系半导体层的两个外表面作为半导体激光器谐振腔的两端面，其相比六方晶系半导体层具有较好的平整度，可以有效地提高该半导体激光器的性能。并且，四方晶系半导体层制作镜面的制作工艺简单。

附图说明

图1是本发明实施例提供的半导体激光器的立体示意图。

图2是图1中的半导体激光器沿II-II的剖面示意图。

图3是图1中的半导体激光器沿III-III的剖面示意图。

图4是本发明实施例提供的半导体激光器的制作方法的流程图。

主要元件符号说明

半导体激光器            100

N型电极                        10

N型半导体层                    20

下表面                         21

P型半导体层                    40

上表面                         41

活性层                         30

P型电极                        50

第一侧面                       101

第二侧面                       102

第三侧面                       103

第四侧面                       104

第一四方晶系半导体层           60

第一表面                       61

第二四方晶系半导体层           70

第二表面                        71

具体实施方式