[发明专利]一种热辐射基板及其制作方法无效
申请号: | 201110034638.3 | 申请日: | 2011-01-30 |
公开(公告)号: | CN102468250A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 金洸洙;申常铉;姜贞恩;林昶贤;崔硕文;朴成根 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 陈小莲;周建秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热辐射 及其 制作方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年11月5日提交的、题为“热辐射基板及其制作方法(Heat-Radiating Substrate and Method for Manufacturing the Same)”的韩国专利申请No.10-2010-0109984的优先权,该申请的全部内容引入本申请中以作参考。
技术领域
本发明涉及一种热辐射基板及其制作方法。
背景技术
近年来,随着电子组件广泛地应用于各个领域,高集成度和高容量的组件引起的热生成已造成产品的性能退化。为了解决这个问题,一直致力于研究使用热导率良好的金属材料的高效率的热辐射基板。
以下将描述一种根据现有技术的热辐射基板的结构。
首先,通过使用阳极氧化法使铝的一个表面或整个表面形成一种阳极氧化膜。
然后,在形成于铝的上表面的阳极氧化膜上形成镀层,进一步加工形成电路图形。此后,该电路图形与发热元件电气连接,并且在铝的下表面形成的阳极氧化膜(或者在阳极氧化膜仅在铝的上表面上形成的情况下是铝本身的下表面,)与热辐射板连接,从而从发热元件中产生的热通过铝和热辐射板辐射到外部。因此,在热辐射基板上形成的发热元件可以有效的辐射高热量。因而,发热元件的性能退化的问题可以解决。
然而,根据现有技术的热辐射基板具有电路图形仅在基板的上表面形成的结构。因此,由于作用到热辐射基板上的压力而产生翘曲。此外,由于在铝的下表面形成的阳极氧化膜(或者在阳极氧化膜仅在铝的上表面上形成的情况下是铝本身的下表面)直接与热辐射板接触,在重复加工过程中例如装载,输送(transfer),外出携带(carrying-out)以及类似情况中,在预先确定的控制环境中可能会发生基板的角落破损现象。因而,热辐射基板或发热元件的性能退化。
发明内容
本发明致力于提供一种热辐射基板以及一种制作该热辐射基板的方法,该热辐射基板具有改善的热辐射基板翘曲现象,改善的性能退化问题例如角落破损现象,以及通过额外的在阳极氧化基板的下表面形成金属层而具有改善的热导率。
根据本发明的一种优选实施方式,提供了一种热辐射基板,该热辐射基板包括:覆盖(form over)在金属基板上的具有阳极氧化膜的阳极氧化基板;形成于所述阳极氧化基板的一个表面的电路图形;和形成于所述阳极氧化基板的另一个表面的金属层。
形成于所述阳极氧化基板的所述另一个表面的所述金属层与形成于所述阳极氧化基板的所述一个表面的电路图形可以具有相同的面积。
所述金属层的厚度可以为10μm-1mm。
所述金属层可以具有其中多根杆(bar)彼此平行排列的形状。
所述金属层可以包括最外金属层,该最外金属层通过将在阳极氧化基板边沿的内部的最外部分的四根杆连接而形成为长方形形状;N个中间金属层,该N个中间金属层形成为位于最外金属层的内部的长方形形状,且具有沿朝向阳极氧化基板的内部中心的方向尺寸缩小的长方形形状;最里金属层,该最里金属层形成于N个中间金属层的最内部分的中间金属层的内部,并且具有多根杆彼此平行排列的形状。
所述金属层可以是螺旋形状。
所述金属层可以仅在阳极氧化基板的所述另一个表面的边沿上形成。
所述金属基板可以由铝制成,和阳极氧化膜可以由氧化铝制成。
所述金属层可以由铜制成。
所述热辐射基板可以进一步包括种子层,所述种子层介于阳极氧化基板的所述一个表面和电路图形之间或介于阳极氧化基板的所述另一个表面和金属层之间。
所述形成于阳极氧化基板的所述一个表面的电路图形可以与发热元件连接,并且,形成于阳极氧化基板的所述另一个表面的金属层可以与热辐射板连接。
根据本发明的一种优选实施方式,提供了一种热辐射基板的制作方法,该方法包括:(A)在金属基板上形成阳极氧化膜以制备阳极氧化基板;(B)在阳极氧化基板的一个表面形成镀层,并且通过镀覆工艺在阳极氧化基板的另一个表面形成金属层;(C)图案化镀层以形成电路图形。
所述热辐射基板的制作方法可以进一步包括:
在步骤(A)后,(A’)使用化学镀工艺或溅射工艺形成种子层。
所述镀层和金属层可以同时形成。
所述热辐射基板的制作方法可以进一步包括,在步骤(B)后,去除金属层的边沿以便金属层仅形成于阳极氧化基板的另一个表面的边沿内。
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