[发明专利]功率放大器

权利要求书

1.一种功率放大器，包括：

第一放大部，具有连接为级联构造并放大输入信号的第一N金属氧化物半导体(MOS)放大器和第二N MOS放大器；

第二放大部，具有连接为级联构造并放大所述输入信号的第一P MOS放大器和第二P MOS放大器；以及

功率合成部，合成所述第一放大部和所述第二放大部的各输出信号。

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一放大部在第一工作模式下导通，所述第一工作模式在预先设定的第一功率电平范围内工作，

所述第二放大部在预先设定的第二工作模式下导通，所述第二工作模式在被设定为低于所述第一工作模式的第一功率电平范围的第二功率电平范围内工作，并且

所述第一放大部和所述第二放大部在预先设定的第三工作模式下导通，所述第三工作模式在被设定为高于所述第一工作模式的第一功率电平范围的第三功率电平范围内工作。

3.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一放大部包括：

第一栅极供电单元，将预定的栅极电源提供至所述第一N MOS放大器的栅极；以及

第一偏置供电单元，将预定的偏置电源提供至所述第一N MOS放大器的漏极。

4.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第二放大部将预定的栅极电源提供至所述第二P MOS放大器的栅极，并将预定的偏置电源提供至所述第一P MOS放大器的源极。

5.根据权利要求4所述的功率放大器，其中，所述输入信号输入至所述第一放大部的所述第二N MOS放大器的栅极和所述第二放大部的第一P MOS放大器的栅极，以及

所述第二放大部进一步包括连接至所述第二放大部的所述第一P MOS放大器的栅极的隔离电容器，从而将所述输入信号传输至所述第一P MOS放大器的栅极，并隔离不需要的功率。

6.一种功率放大器，包括：

第一放大部，具有第一放大单元和第二放大单元，所述第一放大单元包括连接为级联构造以放大输入信号的N金属氧化物半导体(MOS)放大器和第二N MOS放大器，所述第二放大单元包括与所述第一放大单元并联连接并连接为级联构造以放大所输入的差分信号的第三N MOS放大器和第四N MOS放大器；

第二放大部，具有第三放大单元和第四放大单元，所述第三放大单元包括连接为级联构造以放大所述输入信号的第一P MOS放大器和第二P MOS放大器，所述第四放大单元包括与所述第三放大单元并联连接以放大所述差分信号的第三P MOS放大器和第四PMOS放大器；以及

功率合成部，合成所述第一放大部和所述第二放大部的各输出信号。

7.根据权利要求6所述的功率放大器，其中，所述第一放大部在第一工作模式下导通，所述第一工作模式在预先设定的第一功率电平范围内工作，

所述第二放大部在第二工作模式下导通，所述第二工作模式在被设定为低于所述第一工作模式的第一功率电平范围的第二功率电平范围内工作，以及

所述第一放大部和所述第二放大部在第三工作模式下导通，所述第三工作模式在被设定为高于所述第一工作模式的第一功率电平范围的第三功率电平范围内工作。

8.根据权利要求6所述的功率放大器，其中，所述第一放大部的所述第一放大单元的所述第一N MOS放大器的栅极和所述第二放大单元的所述第三N MOS放大器的栅极彼此共同地连接，

所述差分信号输入至所述第一放大单元的所述第二N MOS放大器的栅极和所述第二放大单元的所述第四N MOS放大器的栅极中的每一个，以及

所述第一放大单元的所述第二N MOS放大器的源极和所述第二放大单元的所述第四N MOS放大器的源极连接至地端子。

9.根据权利要求6所述的功率放大器，其中，所述第二放大部的所述第三放大单元的所述第二P MOS放大器的栅极和所述第四放大单元的所述第四P MOS放大器的栅极彼此共同地连接，

所述差分信号输入至所述第三放大单元的所述第一P MOS放大器的栅极和所述第四放大单元的所述第三P MOS放大器的栅极中的每一个，以及

所述第三放大单元的所述第一P MOS放大器的源极和所述第四放大单元的所述第三P MOS放大器的源极共同地连接至通过其提供预定的驱动电源的驱动电源端子。