[发明专利]通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法

权利要求书

1. 一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，包括芯片本体（1-1），其特征在于：所述芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体（1-1）、芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体（1-1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2），在所述芯片源电极（2-1）、芯片栅电极（2-2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有线路层（4），以及在芯片通孔（1-2）内填充有线路层（4），且在芯片通孔（1-2）内填充的线路层（4）没有密闭芯片通孔（1-2），而是留有空腔的半填充结构，而且线路层（4）直接与芯片通孔（1-2）侧壁相连，之间无任何绝缘隔离层，在线路层（4）表面设置有线路表面保护层（5），在芯片本体（1-1）正面的线路层（4）表面设置有焊球（6），在芯片本体（1-1）的背面（1-3）设置有背面金属层（7），且背面金属层（7）与线路层（4）互联。

2.根据权利要求1所述的一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，其特征在于：所述芯片通孔（1-2）是全孔，且线路表面保护层（5）不与背面金属层（7）接触。

3.根据权利要求1所述的一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，其特征在于：所述芯片通孔（1-2）是全孔，且线路表面保护层（5）与背面金属层（7）接触。

4.根据权利要求1所述的一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，其特征在于：所述芯片通孔（1-2）是半孔，且线路表面保护层（5）不与背面金属层（7）接触。

5.根据权利要求1所述的一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，其特征在于：所述芯片通孔（1-2）是半孔，且线路表面保护层（5）与背面金属层（7）接触。

6.一种如权利要求1所述通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法的实现方法，其特征在于：所述封装过程的起点为带有芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的晶圆，通过下列过程得到封装后的MOSFET芯片：

1)、通过光刻、硅刻蚀以及光刻胶剥离工艺，形成通孔；

2)、通过光刻、溅射、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺、形成线路层；

3)、通过光刻工艺形成线路表面保护层；

4)、通过减薄、金属淀积工艺如溅射、蒸发或镀膜，形成背面金属层；

5)、通过印刷焊料或电镀焊料或植放焊球、然后回流的方法形成焊球；

6)、通过晶圆切割分离的方法形成单颗MSOFET封装芯片。