[发明专利]单指手势判断方法、触控感应控制芯片及触控系统

说明书

技术领域

本发明涉及在单指手势(single finger gesture)判断方法，尤其涉及一种可简单地利用通用的分组条件决定各式单指手势的单指手势判断方法、触控感应控制芯片、应用该触控感应控制芯片的触控系统及计算机系统。

背景技术

一般来说，触控感应装置如电容式、电阻式等其它类型的触控感应装置，可在使用者进行一触控事件时，产生相关在该触控事件的侦测讯号在一触控感应芯片，触控感应芯片再将侦测讯号的讯号值与临界值作比较，并根据比较结果决定触控点，进而判断手势。以电容式触控感应装置为例，电容式触控技术主要是借由侦测人体与触控面板上的触控点接触时所产生的感应电容变化，来判断触控事件，换言之，即利用人体触摸某一触控点前后的电容特性差异，以判断触控点，而据以判断触控事件来实现触控功能。

具体而言，请参考图1，图1为公知一投射电容感应装置10的示意图。电容投射电容感应装置10包括有感应电容串行X₁～X_m、Y₁～Y_n，每一感应电容串行由多个感应电容所串接成的一维结构。公知触控侦测方式为侦测每一感应电容串行的电容值，来判断是否有触控事件发生。感应电容串行X₁～X_m与Y₁～Y_n分别用以判别水平方向与垂直方向的触控事件。以水平方向的操作为例，假设感应电容串行X₁有a个感应电容，每一感应电容的电容值为C，则正常情况下，感应电容串行X₁的电容值为aC，而当人体(例如手指)接触到感应电容串行X₁上的某一感应电容时，电容变化量为ΔC。如此一来，若侦测到感应电容串行X₁的电容值大于或等在一预设电容值时(譬如为aC+ΔC)，即表示目前手指正接触在感应电容串行X₁上的某处。同理可类推在垂直方向的操作。结果，如图1所示，在手指接触到一触控点TP1(即坐标(X₃，Y₃))时，感应电容串行X₃及Y₃的电容值会同时发生变化，而判断触控点在坐标(X₃，Y₃)处。须注意，用来判断垂直方向的感应电容串行X₁～X_m的预设电容值与用来判断水平方向的感应电容串行Y₁～Y_n的预设电容值可相同也可不同，须视实际需求而定。

由上述可知，触控感应芯片可将触控感应装置所产生的侦测讯号的讯号值与预设临界值进行比较，因此可在一触控事件发生至结束的过程中决定所有触控点的位置及触控持续发生时间，进而判断手势。具体而言，请参考图2，图2为公知一单击手势、一拖曳手势及一双击手势的判断时间条件的示意图。在图2中，在持续发生时间T1、T3内，侦测讯号的讯号值为触控发生位准(finger-in level)，即触碰物碰触触控感应装置，而在停止发生时间T2内，侦测讯号的讯号值为触控停止位准(finger-out level)，即触碰物离开触控感应装置。换句话说，持续发生时间T1、T3分别为两次触碰物碰触触控感应装置的时间，而停止发生时间T2为这两次触碰物碰触触控感应装置所间隔的时间。

在上述情形下，公知对单击手势、拖曳手势及双击手势的判断时间条件如下：

(1)在持续发生时间T1大于一参考时间T1_ref时，判断单击手势发生。

(2)在持续发生时间T1大于一参考时间T1_ref、停止发生时间T2小在一参考时间T2_ref且持续发生时间T3大于一参考时间T3_ref时，判断拖曳手势发生。

(3)在持续发生时间T1大于一参考时间T1_ref、停止发生时间T2小在一参考时间T2_ref且持续发生时间T3小在一参考时间T3_ref时，判断双击手势发生。