[发明专利]防护电路模块及防护电路架构有效
| 申请号: | 201110033358.0 | 申请日: | 2011-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN102623978A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
| 发明(设计)人: | 苏郁迪 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H7/20 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防护 电路 模块 架构 | ||
1.一种防护电路模块,其特征在于,所述防护电路模块耦接于一输入输出级与一系统线路端之间,所述防护电路模块包括:
一工作电路,耦接于所述输入输出级与所述系统线路端之间,所述工作电路包括:
一第一晶体管开关;以及
一工作元件,所述工作元件耦接至所述第一晶体管开关的一栅极;
一静电放电模块,耦接于所述输入输出级与所述系统线路端之间,所述静电放电模块用以于所述输入输出级与所述系统线路端之间形成一静电放电路径;以及
一保护电路,耦接至所述输入输出级、所述系统线路端以及所述第一晶体管开关的所述栅极,当所述输入输出级累积至一预定电荷时,所述保护电路将所述第一晶体管开关的所述栅极导通至所述系统线路端,藉以关闭所述第一晶体管开关。
2.如权利要求1所述的防护电路模块,其特征在于,所述保护电路更包括:
一第二晶体管开关,耦接于所述第一晶体管开关的所述栅极与所述系统线路端之间;以及
一电阻电容电路,耦接至所述输入输出级、所述系统线路端以及所述第二晶体管开关的所述栅极,当所述输入输出级累积达所述预定电荷时,所述电阻电容电路充电以开启所述第二晶体管开关,进而将所述第一晶体管开关的所述栅极导通至所述系统线路端。
3.如权利要求2所述的防护电路模块,其特征在于,所述电阻电容电路包括一电阻器以及一电容器,所述电容器耦接于所述第二晶体管开关的所述栅极与所述输入输出级之间,而所述电阻器耦接于所述第二晶体管开关的所述栅极与所述系统线路端之间,其中所述电阻器与所述电容器所形成的一电阻电容时间常数大致上介于100毫微秒到1微秒之间。
4.如权利要求2所述的防护电路模块,其特征在于,所述静电放电模块包括一第三晶体管开关,所述第三晶体管开关的一栅极耦接至所述电阻电容电路,所述第三晶体管开关耦接于所述输入输出级与所述系统线路端之间并用以作为所述静电放电路径,当一静电放电电流产生时,所述静电放电电流通过所述第三晶体管开关。
5.如权利要求1所述的防护电路模块,其特征在于,所述静电放电模块包括一第三晶体管开关以及一静电放电检测电路,所述第三晶体管开关的一栅极耦接至所述静电放电检测电路,所述第三晶体管开关耦接于所述输入输出级与所述系统线路端之间并用以作为所述静电放电路径,当一静电放电电流产生时,所述静电放电电流通过所述第三晶体管开关。
6.一种防护电路架构,其特征在于,所述防护电路架构耦接于一输入输出级以及两系统线路端之间,所述防护电路架构包括:
一第一防护电路模块以及一第二防护电路模块,所述第一防护电路模块耦接于所述两系统线路端之一与所述输入输出级之间,所述第二防护电路模块耦接于所述两系统线路端之另一与所述输入输出级之间,其中所述第一防护电路模块与所述第二防护电路模块各自分别包括:
一工作电路,耦接于所述两系统线路端之一与所述输入输出级与之间,所述工作电路包括:
一第一晶体管开关;以及
一工作元件,所述工作元件耦接至所述第一晶体管开关的一栅极;
一静电放电模块,耦接于所述两系统线路端之一与所述输入输出级之间,所述静电放电模块用以于所述两系统线路端之一与所述输入输出级之间形成一静电放电路径;以及
一保护电路,耦接至所述输入输出级、所述两系统线路端之一以及所述第一晶体管开关的所述栅极,当所述输入输出级累积至一预定电荷时,所述保护电路将所述第一晶体管开关的所述栅极导通至所述两系统线路端之一,藉以关闭所述第一晶体管开关。
7.如权利要求6所述的防护电路架构,其特征在于,所述保护电路更包括:
一第二晶体管开关,耦接于所述第一晶体管开关的所述栅极与所述两系统线路端之一之间;以及
一电阻电容电路,耦接至所述输入输出级、所述两系统线路端之一以及所述第二晶体管开关的所述栅极,当所述输入输出级累积达所述预定电荷时,所述电阻电容电路充电以开启所述第二晶体管开关,进而将所述第一晶体管开关的所述栅极导通至所述两系统线路端之一。
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