[发明专利]一种存储器的读出电路及其从存储器中读出数据的方法

权利要求书

1.一种存储器的读出电路，其特征在于，所述读出电路具有一差分输入对，其中正输入端和负输入端连接至存储器中两个不同的存储单元。

2.如权利要求1所述的存储器的读出电路，其特征在于，所述差分输入对的正输入端和负输入端均连接有清零信号发生单元。

3.如权利要求2所述的存储器的读出电路，其特征在于，所述清零信号发生单元包括：

NMOS管N1，其栅极连接复位端，源极连接所述差分输入对的正输入端，漏极连接参考电位端；

NMOS管N2，其栅极连接复位端，源极连接所述差分输入对的负输入端，漏极连接参考电位端。

4.如权利要求1所述的存储器的读出电路，其特征在于，所述存储器可工作于单端模式和差分模式；

当工作于单端模式时，差分输入对的负输入端连接的存储单元不被编程；

当工作于差分模式时，差分输入对的正输入端连接的存储单元和负输入端连接的存储单元中，只有一个被编程。

5.如权利要求1至4任一项所述的存储器的读出电路，其特征在于，所述读出电路采用两级开环放大器结构，包括依次连接的第一级放大器、第二级放大器、反相器；

所述第一级放大器包括：PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管N3、NMOS管N4；其中，PMOS管P1、PMOS管P2的栅极分别作为差分输入对的正、负输入端连接至存储器中不同的存储单元，PMOS管P3的栅极连接偏置电压输入端，PMOS管P3的源极连接电源端，PMOS管P3的漏极同时连接PMOS管P1和PMOS管P2的源极，NMOS管N3和NMOS管N4的漏极分别连接PMOS管P1和PMOS管P2的漏极，NMOS管N3和NMOS管N4的栅极均连接至PMOS管P1的漏极，NMOS管N3和NMOS管N4的源极均连接至参考电位端；

所述第二级放大器包括：PMOS管P4、NMOS管N5；其中，PMOS管P4的栅极连接偏置电压输入端，PMOS管P4的源极连接电源端，PMOS管P4的漏极连接NMOS管N5的漏极，NMOS管N5的栅极连接PMOS管P2的漏极，NMOS管N5的源极连接至参考电位端；

所述反相器的输入端连接所述PMOS管P4的漏极和所述NMOS管N5的漏极之间的节点，所述反相器的输出端作为读出电路的输出端。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的读出电路从存储器中读出数据的方法，其特征在于，包括下述步骤：

在读出数据之前，对差分输入对的两个输入端的正输入端和负输入端的数据清零。