[发明专利]半导体存储设备无效

专利信息
申请号: 201110031303.6 申请日: 2011-01-28
公开(公告)号: CN102163462A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 吴台荣 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/20 分类号: G11C29/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 设备
【说明书】:

技术领域

发明构思涉及半导体存储系统,更具体地,涉及其中简单地检测半导体存储设备与存储控制器之间的数据通信中的错误的半导体存储系统。

背景技术

随着半导体存储设备在密度上的增加以及操作存储器接口速度的增加,存储设备与存储控制器之间的通信信道经受增加的信道噪声,而且存储器数据、地址、和命令的发送和接收中错误的发生增加。当这样的数据通信中发生错误时,将不得不重发存储操作中牵涉的数据、地址、或命令信号,而且系统的处理和操作速度会大大降低。

发明内容

提供一种存储系统,包括:存储控制器,包括:命令产生器,被配置为产生命令;第一计数器,被配置为响应于时钟信号对命令的第一数量进行计数;第一寄存器,被配置为存储已计数的命令的第一数量;第一接口,被配置为与存储设备进行接口连接,包括发送命令、已计数的命令的第一数量、地址、以及发送和接收数据字节;存储设备,包括:第二接口,被配置为与存储控制器进行接口连接,包括从存储控制器接收命令、已计数的命令的第一数量、地址、和数据;第二计数器,被配置为响应于时钟信号对已接收的命令的第二数量进行计数;第二寄存器,被配置为存储已接收的命令的第二数量,其中,第二接口进一步被配置为向存储控制器发送已接收的命令的第二数量。

所述存储系统还包括错误检测器,其被配置为检测从存储控制器接收的命令、地址或数据中错误的发生并输出错误检测信号,其中基于错误检测信号向存储控制器发送存储在第二寄存器中的已接收的命令的计数。

所述存储系统还包括公共时钟产生器,其被配置为产生时钟信号,其中,公共时钟产生器被布置在所述存储控制器或存储设备中,或者被布置在所述存储控制器和存储设备之外。

根据所述实施例中的一个,第一计数器和第二计数器被配置为利用公共重置信号来重置。根据另一个实施例,所述的公共重置信号基于刷新命令。

根据所述实施例中的一个,存储控制器被配置为存储与第一寄存器中的已计数的命令数对应的命令。

根据所述实施例中的一个,所述存储设备包括DRAM。

根据所述实施例中的至少一个,提供一种存储设备,包括:接口,被配置为与存储控制器进行接口连接,包括从存储控制器接收命令、数据、和地址;计数器,被配置为响应于时钟信号对已接收的命令数进行计数;以及寄存器,被配置为存储已接收的命令的计数,其中,该接口还被配置为向存储控制器发送已接收的命令的计数,其中,时钟信号在存储设备和存储控制器中公共使用以便为命令定时。

所述存储设备还包括错误检测器,其被配置为检测从存储控制器接收的命令、地址或数据中错误的发生并输出错误检测信号,其中基于错误检测信号向存储控制器发送存储在寄存器中的已接收的命令的计数。

根据另一个实施例,提供一种存储设备,包括:接口,被配置为与存储控制器进行接口连接,包括从存储控制器接收命令、数据、和地址;计数器,被配置为对时钟信号的脉冲数进行计数,其中,该接口进一步被配置为向存储控制器发送时钟信号的脉冲数的计数。

该存储设备还包括承载时钟信号的时钟信号线,其被连接到存储控制器。

还提供一种存储系统,包括:存储控制器,包括:命令产生器,被配置为产生命令;第一计数器,被配置为响应于时钟信号对命令数进行计数;第一寄存器,被配置为存储已计数的命令数;第一接口,被配置为与集线器接口连接以发送命令、计数值、以及发送和接收数据;以及多个存储设备,被连接到集线器,每个存储设备包括:第二接口,被配置为与集线器进行接口连接,包括从存储控制器接收命令、计数、和字节数据;第二计数器,响应于时钟信号对已接收的命令数进行计数;第二寄存器,被配置为存储已接收的命令的计数,其中第二接口还被配置为经由集线器向存储控制器发送已接收的命令的计数。

提供一种存储控制方法,包括:在存储控制器处产生命令;响应于时钟信号对命令数进行计数;存储命令和与命令对应的计数;向存储设备发送命令、命令的计数、和数据;在存储设备处接收从存储控制器发送的命令、命令的计数、和数据;在存储设备处响应于时钟信号对已接收的命令数进行计数;在存储设备处存储已接收的命令的计数;向存储控制器发送已接收的命令的计数,其中在指示错误状况时执行所述向存储控制器发送命令的计数的操作;以及从存储控制器向存储设备重发与从存储设备接收的命令的计数对应的命令和数据。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述,将更清楚地理解本发明构思的示范性实施例,其中:

图1说明根据本发明构思的实施例的半导体存储系统;

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