[发明专利]非直接结合铜隔离的横向宽带隙半导体器件无效
| 申请号： | 201110031230.0 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142409A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | G.R.伍迪;T.G.沃德;K.布特罗斯;B.休斯 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张群峰 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直接 结合 隔离 横向 宽带 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1. 一种器件，包括：
散热器；
缓冲层，其直接覆盖在所述散热器上；以及
外延层，其由Ⅲ族元素氮化物构成并且覆盖在所述缓冲层上。
2. 如权利要求1所述的器件，其中，所述缓冲层与所述散热器电隔离。
3. 如权利要求1所述的器件，其中，所述外延层包括横向构造的二极管。
4. 如权利要求1所述的器件，其中，所述外延层包括横向构造的开关。
5. 如权利要求1所述的器件，其中，所述外延层包括：
横向构造的二极管；以及
横向构造的开关，其联接到所述横向构造的二极管。
6. 如权利要求5所述的器件，还包括：连接所述横向构造的开关与所述横向构造的二极管的电极、至少一个引线接合、或者集成电路金属化。
7. 如权利要求5所述的器件，其中，所述横向构造的二极管和所述横向构造的开关与所述散热器电隔离。
8. 如权利要求4所述的器件，其中，所述横向构造的开关包括栅端子、源端子、和漏端子。
9. 如权利要求8所述的器件，其中：
所述外延层包括顶侧；并且
所述栅端子、所述源端子、和所述漏端子均位于所述顶侧上。
10. 一种器件，包括：
散热器；
基底，其直接覆盖在所述散热器上；
缓冲层，其直接覆盖在所述基底上；以及
外延层，其由Ⅲ族元素氮化物构成并且覆盖在所述缓冲层上。
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