[发明专利]形成n型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法有效

专利信息
申请号: 201110030986.3 申请日: 2011-01-25
公开(公告)号: CN102194672A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎;青柳拓也 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: H01L21/22 分类号: H01L21/22;C03C12/00;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 形成 扩散 组合 方法 制备 电池
【权利要求书】:

1.一种用于形成n型扩散层的组合物,所述组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。

2.根据权利要求1所述的用于形成n型扩散层的组合物,其中所述给体元素为选自磷(P)和锑(Sb)中的至少一种给体元素。

3.根据权利要求1或2所述的用于形成n型扩散层的组合物,其中所述含给体元素的玻璃粉末含有:

选自P2O3,P2O5和Sb2O3中的至少一种含给体元素的材料,和

选自SiO2,K2O,Na2O,Li2O,BaO,SrO,CaO,MgO,BeO,ZnO,PbO,CdO,V2O5,SnO,ZrO2和MoO3中的至少一种玻璃组分材料。

4.根据权利要求1所述的用于形成n型扩散层的组合物,所述组合物还含有选自银(Ag),硅(Si),铜(Cu),铁(Fe),锌(Zn)和锰(Mn)中的至少一种金属。

5.根据权利要求4所述的用于形成n型扩散层的组合物,其中所述金属为银(Ag)。

6.一种用于形成n型扩散层的方法,所述方法包括:

在半导体基板上涂敷根据权利要求1至5中任一项所述的用于形成n型扩散层的组合物;和

进行热扩散处理。

7.一种用于制备光伏电池的方法,所述方法包括:

在半导体基板上涂敷根据权利要求1至5中任一项所述的用于形成n型扩散层的组合物;

对所述基板进行热扩散处理,从而形成n型扩散层;和

在所述n型扩散层上形成电极。

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