[发明专利]形成n型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法有效
申请号: | 201110030986.3 | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102194672A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎;青柳拓也 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;C03C12/00;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 扩散 组合 方法 制备 电池 | ||
1.一种用于形成n型扩散层的组合物,所述组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。
2.根据权利要求1所述的用于形成n型扩散层的组合物,其中所述给体元素为选自磷(P)和锑(Sb)中的至少一种给体元素。
3.根据权利要求1或2所述的用于形成n型扩散层的组合物,其中所述含给体元素的玻璃粉末含有:
选自P2O3,P2O5和Sb2O3中的至少一种含给体元素的材料,和
选自SiO2,K2O,Na2O,Li2O,BaO,SrO,CaO,MgO,BeO,ZnO,PbO,CdO,V2O5,SnO,ZrO2和MoO3中的至少一种玻璃组分材料。
4.根据权利要求1所述的用于形成n型扩散层的组合物,所述组合物还含有选自银(Ag),硅(Si),铜(Cu),铁(Fe),锌(Zn)和锰(Mn)中的至少一种金属。
5.根据权利要求4所述的用于形成n型扩散层的组合物,其中所述金属为银(Ag)。
6.一种用于形成n型扩散层的方法,所述方法包括:
在半导体基板上涂敷根据权利要求1至5中任一项所述的用于形成n型扩散层的组合物;和
进行热扩散处理。
7.一种用于制备光伏电池的方法,所述方法包括:
在半导体基板上涂敷根据权利要求1至5中任一项所述的用于形成n型扩散层的组合物;
对所述基板进行热扩散处理,从而形成n型扩散层;和
在所述n型扩散层上形成电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造