[发明专利]一种石墨相氮化碳/金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201110028708.4 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102125863A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张平;罗和安;赵才贤;陈烽;张永胜 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J21/06;B01J37/00;B01J37/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 41110*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 氮化 金红石 单晶二 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨相氮化碳/金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于制备步骤如下：
a)在基底上制备金红石单晶二氧化钛纳米线阵列；
b)将氰胺类化合物或尿素溶于溶液中，再将制备好的金红石单晶二氧化钛纳米线阵列浸入氰胺类化合物或尿素溶液中1～48h后，取出并干燥。
c)将干燥好的纳米线阵列进行热处理。
2.根据权利要求1所述一种石墨相氮化碳/金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述氰胺类化合物是指氰胺、双聚氰胺或三聚氰胺之一种或几种之混合物；所述溶液的溶剂为蒸馏水或乙醇。
3.根据权利要求1所述一种石墨相氮化碳/金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的基底为导电玻璃、硅片、钛片、玻璃、石英或陶瓷之任一种。
4.根据权利要求1所述一种石墨相氮化碳/金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述干燥温度为30～120℃。
5.根据权利要求1所述一种石墨相氮化碳/金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述热处理温度为300℃～600℃，热处理时间为0.5～3h，热处理气氛为空气气氛或情性气氛。
6.根据权利要求6所述一种石墨相氮化碳/金红石单晶二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述情性气氛是指氮气或氩气。
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